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本文主要是關(guān)于鉭電容的相關(guān)介紹，并著重對(duì)鉭電容溫度特性曲線(xiàn)圖原理進(jìn)行了詳盡的闡述。
鉭電容是 電容器中體積小而又能達(dá)到較大電容量的產(chǎn)品，是1956年由美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室首先研制成功的，它的性能優(yōu)異。鉭電容器外形多種多樣，并制成適于表面貼裝的小型和片型元件。鉭電容器不僅在軍事通訊，航天等領(lǐng)域應(yīng)用，而且鉭電容的應(yīng)用范圍還在向工業(yè)控制，影視設(shè)備、通訊儀表等產(chǎn)品中大量使用。
鉭電容全稱(chēng)是鉭電解電容，也屬于電解電容的一種，使用金屬鉭做介質(zhì)，不像普通電解電容那樣使用電解液，鉭電容不需像普通電解電容那樣使用鍍了鋁膜的電容紙繞制，本身幾乎沒(méi)有電感，但這也限制了它的容量。此外，由于鉭電容內(nèi)部沒(méi)有電解液，很適合在高溫下工作。 這種獨(dú)特自愈性能，保證了其長(zhǎng)壽命和可靠性的優(yōu)勢(shì)。固體鉭電容器電性能優(yōu)良，工作溫度范圍寬，而且形式多樣，體積效率優(yōu)異，具有其獨(dú)特的特征：鉭電容器的工作介質(zhì)是在鉭金屬表面生成的一層極薄的五氧化二鉭膜。此層氧化膜介質(zhì)與組成電容器的一端極結(jié)合成一個(gè)整體，不能單獨(dú)存在。因此單位體積內(nèi)具有非常高的工作電場(chǎng)強(qiáng)度，所具有的電容量特別大，即比容量非常高，因此特別適宜于小型化。
主要特性
鉭電容的特性_鉭電容器具有非常高的工作電場(chǎng)強(qiáng)度，并較任何類(lèi)型電容器都大，以此保證它的小型化。
鉭電容的特性_鉭電容器可以非常方便地獲得較大的電容量，在電源濾波、交流旁路等用途上少有競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。
鉭電容的特性_鉭電容器具有單向?qū)щ娦裕此^有“極性”，應(yīng)用時(shí)應(yīng)按電源的正、負(fù)方向接入電流，電容器的陽(yáng)極（正極）接電源“+”極，陰極（負(fù)極）接電源的“-”極如果接錯(cuò)不僅電容器發(fā)揮不了作用，而且漏電流很大，短時(shí)間內(nèi)芯子就會(huì)發(fā)熱，破壞氧化膜隨即失效。
鉭電容的特性_鉭電容器工作電壓有一定的上限平值，但這方面的缺點(diǎn)對(duì)配合晶體管或集成電路電源，是不重要的。
鉭電容的特性_鉭電容器具有儲(chǔ)藏電量、進(jìn)行充放電等性能。
標(biāo)識(shí)方法
?。?） 直標(biāo)法：用字母和數(shù)字把型號(hào)、規(guī)格直接標(biāo)在外殼上。
?。?） 文字符號(hào)法：用數(shù)字、文字符號(hào)有規(guī)律的組合來(lái)表示容量。文字符號(hào)表示其電容量的單位：P、N、u、m、F等。和電阻的表示方法相同。標(biāo)稱(chēng)允許偏差也和電阻的表示方法相同。小于10pF的電容，其允許偏差用字母代替：B——±0.1pF，C——±0.2pF，D——±0.5pF，F(xiàn)——±1pF。
?。?） 色標(biāo)法：和電阻的表示方法相同，單位一般為pF。小型電解電容器的耐壓也有用色標(biāo)法的，位置靠近正極引出線(xiàn)的根部，所表示的意義如下表所示：
顏色 黑 棕 紅 橙 黃 綠 藍(lán) 紫 灰
耐壓 4V 6.3V 10V 16V 25V 32V 40V 50V 63V
?。?） 進(jìn)口電容器的標(biāo)識(shí)方法：進(jìn)口電容器一般有6項(xiàng)組成。
第一項(xiàng)：用字母表示類(lèi)別：
第二項(xiàng)：用兩位數(shù)字表示其外形、結(jié)構(gòu)、封裝方式、引線(xiàn)開(kāi)始及與軸的關(guān)系。
第三項(xiàng)：溫度補(bǔ)償型電容器的溫度特性，有用字母的，也有用顏色的，其意義如下表所示：
序號(hào) 字母 顏色 溫度系數(shù) 允許偏差 字母 顏色 溫度系數(shù) 允許偏差
1 A 金 +100 R 黃 -220
2 B 灰 +30 S 綠 -330
11 P 橙 -150 YN -800~-5800
備注：溫度系數(shù)的單位10e -6/℃；允許偏差是 % 。
第四項(xiàng)：用數(shù)字和字母表示耐壓，字母代表有效數(shù)值，數(shù)字代表被乘數(shù)的10的冪。
第五項(xiàng)：標(biāo)稱(chēng)容量，用三位數(shù)字表示，前兩位為有效數(shù)值，第三為是10的冪。當(dāng)有小數(shù)時(shí)，用R或P表示。普通電容器的單位是pF，電解電容器的單位是uF。
第六項(xiàng)：允許偏差。用一個(gè)字母表示，意義和國(guó)產(chǎn)電容器的相同。
也有用色標(biāo)法的，意義和國(guó)產(chǎn)電容器的標(biāo)志方法相同。
進(jìn)口的，以477 A71N13為例，后邊六位分別與上述六項(xiàng)對(duì)應(yīng)
封裝方法
電容：可分為無(wú)極性和有極性?xún)深?lèi)，無(wú)極性電容下述兩類(lèi)封裝最為常見(jiàn)，即0805、0603；所以其溫度穩(wěn)定性以及精度都不是很高，而貼片元件由于其緊貼電路版，所以要求溫度穩(wěn)定性要高，所以貼片電容以鉭電容為多，根據(jù)其耐壓不同，貼片電容又可分為A、B、C、D 四個(gè)系列，具體分類(lèi)如下：
類(lèi)型封裝形式耐壓
A 3216 10V
B 3528 16V
C 6032 25V
D 7343 35V
貼片電容的尺寸表示法有兩種，一種是英寸為單位來(lái)表示，一種是以毫米為單位來(lái)表示，貼片電容的系列型號(hào)有0402、0603、0805、1206、1812、2010、2225、2512，是英寸表示法，04 表示長(zhǎng)度是0.04 英寸，02 表示寬度0.02 英寸，其他類(lèi)同
型號(hào)尺寸（mm）
英制尺寸公制尺寸長(zhǎng)度及公差寬度及公差厚度及公差
0402 1005 1.00±0.05 0.50±0.05 0.50±0.05
0603 1608 1.60±0.10 0.80±0.10 0.80±0.10
0805 2012 2.00±0.20 1.25±0.20 0.70±0.20
1.00±0.20
1.25±0.20
1206 3216 3.20±0.30 1.60±0.20 0.70±0.20
1808 4520 4.50±0.40 2.00±0.20 ≤2.00
1812 4532 4.50±0.40 3.20±0.30 ≤2.50
2225 5763 5.70±0.50 6.30±0.50 ≤2.50
3035 7690 7.60±0.50 9.00±0.05 ≤3.00
在介紹AVX 鉭電容的溫度特性曲線(xiàn)前，我們必需對(duì)以下兩個(gè)基本概念有所認(rèn)識(shí)：
額定容量（CR）
這是額定電容。對(duì)于鉭OxiCap？電容器的電容測(cè)量是在25° C 時(shí)等效串聯(lián)電路使用測(cè)量電橋提供一個(gè)0.5V RMS120Hz 的正弦信號(hào)，諧波與2.2Vd.c.
電容公差
這是實(shí)際值的允許偏差電容額定值。
AVX 鉭電容的溫度特征。
鉭電容器的電容隨溫度變化而發(fā)生變化。這種變化本身就是一個(gè)小的程度上依賴(lài)額定電壓和電容的大小。從下面的溫度曲線(xiàn)圖上可以看出在工作溫度范圍內(nèi)，鉭電容和鈮電容的容量會(huì)隨著溫度的上升而上升。
損耗角正切（TAN）。
這是一個(gè)在電容器的能量損耗的測(cè)量。它表示，為棕褐色，是電容器的功率損耗其無(wú)功功率分為一組指定的正弦電壓頻率。也用的術(shù)語(yǔ)是功率因數(shù)，損耗因子和介電損耗。 COS（90 - ）是真正的功率因數(shù)。 “使用測(cè)量進(jìn)行測(cè)量譚橋梁，提供一個(gè)0.5V RMS120Hz 的正弦信號(hào)。
耗散與溫度的關(guān)系
耗散系數(shù)隨溫度變化的典型曲線(xiàn)表演。這些地塊是鉭和OxiCap 相同電容器。
耗散因數(shù)測(cè)量的切線(xiàn)損耗角（TAN），以百分比表示。測(cè)量DF 是開(kāi)展測(cè)量橋梁供應(yīng)一個(gè)0.5V RMS120Hz 的正弦信號(hào)，免費(fèi)諧波與偏見(jiàn)2.2Vdc. DF 值是溫度和頻率依賴(lài)性。注意：對(duì)于表面貼裝產(chǎn)品所允許的最大DF 值表示的收視率表是很重要請(qǐng)注意，這些限額會(huì)見(jiàn)了由組件后基板上焊接。
耗散因數(shù)的頻率依賴(lài)性
隨著頻率的增加損耗因數(shù)所示鉭和OxiCap 廬電容器的典型曲線(xiàn)相同的AVX 鉭電容的阻抗（Z）。
這是電流電壓的比值，在指定的頻率。三個(gè)因素促成了鉭電容器的阻抗;半導(dǎo)體層的電阻電容價(jià)值和電極和引線(xiàn)電感。在高頻率導(dǎo)致的電感成為一個(gè)限制因素。溫度和頻率的行為確定這三個(gè)因素的阻抗行為阻抗Z.阻抗是在25° C 和100kHz.
AVX 鉭電容的等效串聯(lián)電阻ESR.
阻力損失發(fā)生在一切可行的形式電容器。這些都是由幾種不同的機(jī)制，包括電阻元件和觸點(diǎn)，
粘性勢(shì)力內(nèi)介質(zhì)和生產(chǎn)旁路的缺陷電流路徑。為了表達(dá)對(duì)他們的這些損失的影響視為電容的ESR. ESR 的頻率依賴(lài)性和可利用的關(guān)系;ESR=譚δ2πfC 其中F 是赫茲的頻率，C 是電容法拉。ESR 是在25 ° C 和100kHz 的測(cè)量。ESR 是阻抗的因素之一，在高頻率（100kHz和以上）就變成了主導(dǎo)因素。從而ESR 和阻抗幾乎成了相同，阻抗僅小幅走高。
AVX 鉭電容的阻抗和ESR 的頻率依賴(lài)性。
ESR 和阻抗都隨頻率的增加。在較低頻率值作為額外的貢獻(xiàn)分歧阻抗（由于電容器的電抗）變得更加重要。除了1MHz 的（和超越電容的諧振點(diǎn)）阻抗再次增加由于電感，電容的。
典型ESR 和阻抗值是類(lèi)似的鉭，鈮氧化物材料，從而在相同的圖表都有效鉭電容和OxiCap電容器。
AVX 代理談鉭電容的阻抗與溫度的關(guān)系和ESR.在100kHz，阻抗和ESR 的行為相同，隨著溫度的升高下降的典型曲線(xiàn)
鉭電容的浪涌電壓
AVX 鉭電容能承受的電壓和電流浪涌能力是有限的，這是基于所有電解電容的共同屬性，一個(gè)值夠高的電應(yīng)力會(huì)穿過(guò)電介質(zhì)，從而破壞了介質(zhì)。例如一個(gè)6 伏的鉭電容在額定電壓運(yùn)行時(shí)，有一個(gè)167 千伏/毫米電壓的電場(chǎng)。因此一定要確保整個(gè)電容器終端的電壓的決不會(huì)超過(guò)規(guī)定的浪涌電壓評(píng)級(jí)。作為鉭電容負(fù)極板層使用的半導(dǎo)體二氧化錳有自愈能力。
然而，這種低阻是有限的。在低阻抗電路的情況下，電容器可能被浪涌電流擊穿。降壓的電容，增加了元件的可靠性。額定電壓使用上常見(jiàn)的電壓軌跡，低阻抗鉭電容在電路進(jìn)行快速充電或放電時(shí)，保護(hù)電阻建議為1Ω/ V.如果達(dá)不到此要求應(yīng)使用鉭電容器降壓系數(shù)高達(dá)70%.在這種情況下，可能需要更高的電壓比作為一個(gè)單一的電容。 A 系列組合應(yīng)被用來(lái)增加工作電壓的等效電容器：
例如，兩個(gè)22μF25V 系列部分相當(dāng)于一個(gè)11μF50V 的一部分。
是指電容在很短的時(shí)間經(jīng)過(guò)最小的串聯(lián)電阻的電路33Ohms（CECC 國(guó)家1KΩ）能承受的最高電壓。浪涌電壓，常溫下一個(gè)小時(shí)時(shí)間內(nèi)可達(dá)到高達(dá)10 倍額度電壓并高達(dá)30 秒的時(shí)間。浪涌電壓只作為參考參數(shù)，不能用作電路設(shè)計(jì)的依據(jù)，在正常運(yùn)行過(guò)程中，電容應(yīng)定期充電和放電。
不同溫度下浪涌電壓的值是不一樣的，在85 度及以下溫度時(shí)，分類(lèi)電壓VC 等于額定電壓VR，浪涌電壓VS 等于額度電壓VR 的1.3 倍;在85 到125 度時(shí)，分類(lèi)電壓VC 等于額定電壓VR 的0.66 倍，浪涌電壓VS 等于分類(lèi)電壓VC 的1.3 倍。
鉭電容的反向電壓
AVX 鉭電容的反向電壓是有嚴(yán)格的限制的，具體如下：
在1.0V 25° C 條件下最大為10%的額定直流工作電壓
在0.5V 85° C 條件下最大為3%的額定直流工作電壓
在0.1V 125℃條件下最大為1%的額定直流工作電壓
反向電壓值均以鉭電容在任何時(shí)間上的最高電壓值為準(zhǔn)。這些限制是假設(shè)鉭電容器偏振光在其大多數(shù)的正確方向工作壽命。他們的目的是涵蓋短期逆轉(zhuǎn)如發(fā)生在開(kāi)關(guān)瞬態(tài)極性期間的一個(gè)印象深刻的波形的一小部分。連續(xù)施加反向電壓會(huì)導(dǎo)致兩極分化，將導(dǎo)致漏電流增大。在在何種情況下連續(xù)反向應(yīng)用電壓可能會(huì)出現(xiàn)兩個(gè)類(lèi)似的電容應(yīng)采用與負(fù)端接背回配置連接在一起。在大多數(shù)情況下這種組合將有一個(gè)標(biāo)稱(chēng)電容的電容的一半無(wú)論是電容。在孤立的脈沖條件或在最初幾個(gè)周期內(nèi)，電容可能的方法完整的標(biāo)稱(chēng)值。反向電壓等級(jí)的設(shè)計(jì)蓋小級(jí)別游覽得天獨(dú)厚的條件弄錯(cuò)極性。引用的值是不打算覆蓋連續(xù)的反向操作。
鉭電容的疊加交流電壓（Vr.m.s.）------又稱(chēng)紋波電壓
這是最大的r.m.s.交流電壓;疊加一個(gè)特區(qū)電壓，可應(yīng)用到一個(gè)電容。在華盛頓的總和電壓和峰值疊加A.C.電壓不得超過(guò)該類(lèi)別電壓。
鉭電容的成型電壓。
這是在陽(yáng)極氧化形成的電壓。 ”這個(gè)氧化層的厚度是形成電壓成正比一個(gè)電容器，并在設(shè)置額定電壓的一個(gè)因素。
關(guān)于鉭電容的相關(guān)介紹就到這了，如有不足之處歡迎指正。
