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  • 探究改變電子元器件制造的Thick Film Lithography工藝技術(shù)二
    探究改變電子元器件制造的Thick Film Lithography工藝技術(shù)二
  • 探究改變電子元器件制造的Thick Film Lithography工藝技術(shù)二
  •   發(fā)布日期: 2022-01-07  瀏覽次數(shù): 1,424

    作者:深圳市微納制造產(chǎn)業(yè)促進(jìn)會(huì)

    前文我們介紹了村田制作所貼片式電感的制造工藝——Thick Film Lithography,進(jìn)而發(fā)現(xiàn)其在低溫共燒陶瓷(LTCC)領(lǐng)域的應(yīng)用。LTCC的燒結(jié)工序制約了鍍膜技術(shù)的使用,而Thick Film Lithography Process是目前發(fā)現(xiàn)的極少數(shù)適應(yīng)高溫?zé)Y(jié)金屬化方式的高精度光刻量產(chǎn)工藝路線之一。

    那么這項(xiàng)工藝技術(shù)有哪些優(yōu)勢(shì),還有哪些應(yīng)用?我們不妨從它的技術(shù)原理和工藝流程開始探究。

    “Thick Film Lithography”字面上直譯為“厚膜光刻”或“厚膜光蝕”。事實(shí)上,“厚膜光刻”雖然目前應(yīng)用的領(lǐng)域沒有達(dá)到廣泛普及的程度,只是應(yīng)用于業(yè)內(nèi)前沿產(chǎn)品,但也是業(yè)界熟知的工藝,早在上世紀(jì)末,該技術(shù)已有針對(duì)PDP的商業(yè)化應(yīng)用,國(guó)內(nèi)外已開始相關(guān)研究。

    研究“厚膜光刻”,當(dāng)然要從“厚膜”開始。

    一、厚膜與薄膜技術(shù)

    關(guān)于薄膜與厚膜技術(shù)的介紹與對(duì)比,我們?cè)谇拔挠性敿?xì)闡述(技術(shù)研究 | 薄膜與厚膜技術(shù)介紹與對(duì)比)。

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    表:厚膜技術(shù)與薄膜技術(shù)對(duì)比

    總而言之,厚膜技術(shù)與薄膜技術(shù)在部分領(lǐng)域(例如:片式電阻)有一定的替代,但是厚膜技術(shù)由于成本、可靠性、高溫性能等方面的優(yōu)勢(shì),在很多產(chǎn)品的制造及相關(guān)工藝中無(wú)可替代,另外LTCC及HTCC等多層共燒結(jié)工藝中,無(wú)法應(yīng)用薄膜技術(shù)。

    二、厚膜技術(shù)的進(jìn)化

    隨著電子電氣行業(yè)微型化發(fā)展,要求厚膜電路組裝密度以及布線的密度不斷地提高,導(dǎo)體線條更細(xì),線間距更窄。但由于絲網(wǎng)印刷的特性,一般無(wú)法實(shí)現(xiàn)小于50微米(2mil)的圖案,量產(chǎn)的實(shí)際水平多數(shù)在100um(4mil)以上。厚膜技術(shù)的高精度化,如何用厚膜技術(shù)實(shí)際50um(2mil)以下的超細(xì)布線,已成為極為關(guān)鍵的工藝技術(shù)進(jìn)化節(jié)點(diǎn)。

    為實(shí)現(xiàn)更高的精度,目前最常用的工藝分為三種:

    1.采用高網(wǎng)孔率絲網(wǎng)。此工藝的線徑會(huì)更細(xì)、目數(shù)更高、絲網(wǎng)的開口率更高、細(xì)線不易斷線。

    2.光刻或光致成圖技術(shù)。先燒結(jié)成膜,再光刻成圖工藝的材料通常有有機(jī)銀漿、薄印銀及無(wú)玻璃導(dǎo)體等;先光刻后成膜所采用的漿料因其具有光敏性,可以在經(jīng)過(guò)曝光、顯影后直接成圖,省去了光刻膠步驟,且能夠提高導(dǎo)體線條的精度。Thick Film Lithography就是此工藝,也是目前實(shí)際在規(guī)?;慨a(chǎn)的高精度厚膜燒結(jié)工藝技術(shù)。

    3.微機(jī)控制的直接描繪技術(shù)。此技術(shù)主要是在CAD上進(jìn)行設(shè)計(jì),然后直接在基板上描出厚膜圖形,無(wú)需制版、制網(wǎng),且該工藝下布線的線寬和間距可以精確控制,適合小批量和多品種的生產(chǎn)。

    三、厚膜光刻技術(shù)

    厚膜光刻技術(shù)是將光刻技術(shù)應(yīng)用于傳統(tǒng)的厚膜工藝。與傳統(tǒng)的厚膜工藝相比,該技術(shù)使圖案能夠形成更精細(xì)的分辨、更高精度和平整性,并且與薄膜相比,可以達(dá)到同樣的封裝密度水平。

    厚膜光刻主要有感光性漿料法和厚膜蝕刻法。

    1.感光性漿料法

    感光性電極漿料主要是由銀粉、感光性樹脂溶劑、粘合劑、分散劑、穩(wěn)定劑等按一定比例調(diào)和而成。工藝步驟是:

    (1)用印刷法將漿料整板均勻地涂在基板上,干燥;

    (2)用紫外光進(jìn)行曝光;

    (3)用堿性水溶液顯影;

    (4)干燥、燒結(jié)。

    這種工藝的特點(diǎn)是制作出的電極線質(zhì)量好,線寬可做到小于50um。是目前已知的實(shí)現(xiàn)商業(yè)化應(yīng)用的厚膜光刻技術(shù)工藝,也是村田用于生產(chǎn)LTCC器件及電感器小型化的關(guān)鍵工藝。

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    圖:感光性漿料法厚膜光刻

    2.厚膜蝕刻法

    這種方法與薄膜法幾乎一樣,只是將鍍膜換成了印刷燒結(jié)。用印刷法整板印上銀漿,燒結(jié)后涂上光刻膠,經(jīng)過(guò)曝光、顯影,形成抗蝕圖,然后用一定濃度的硝酸溶液將圖型外的材料腐蝕掉,最后去膠。由于銀漿是在燒結(jié)后進(jìn)行刻蝕的,因而不存在圖形收縮問題,但整板燒結(jié)銀漿,將產(chǎn)生應(yīng)力;用濃硝酸作腐蝕液,環(huán)境污染大應(yīng)考慮。

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    圖:厚膜蝕刻法

    四、厚膜光刻技術(shù)特點(diǎn)

    1.技術(shù)優(yōu)勢(shì)

    (1)高精度及高解析度

    (2)極高的一致性

    (3)優(yōu)異的高溫性工作性能

    (4)制程簡(jiǎn)單流程短可控度高

    (5)有極高的工藝靈活更適用于少量多品類市場(chǎng)

    (6)工藝成本低,建設(shè)投入小

    2.需要優(yōu)化

    在厚膜光刻工藝中對(duì)感光性漿料存在過(guò)度依賴,工藝能否實(shí)用化與相應(yīng)材料的性能不可分割。材料的配套能力影響應(yīng)用產(chǎn)品的商用化進(jìn)程。

    這項(xiàng)技術(shù)的商業(yè)化應(yīng)用現(xiàn)狀及應(yīng)用前景如何,我們將在下篇文章闡述。

    參考資料

    [1]陳秀敏。厚膜光刻工藝在PDP中的應(yīng)用[J]。光電子技術(shù),2001,(01):39-44.

    [2]薄膜與厚膜技術(shù)介紹與對(duì)比


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