隨著電力電子技術(shù)的不斷進(jìn)步，由于傳統(tǒng)的二極管整流或采用晶閘管的相控整流存在功率因數(shù)低、向電網(wǎng)注入諧波大等諸多弊端，在這種情況下，功率因數(shù)高、向電網(wǎng)注入諧波極小的PWM整流新技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生。PWM整流的開(kāi)關(guān)管一般都工作在高頻情況下，以確保PWM整流的優(yōu)良性能。而由此帶來(lái)的卻是開(kāi)關(guān)應(yīng)力和開(kāi)關(guān)損耗等新問(wèn)題。

 

  從理論上講，采用軟開(kāi)關(guān)技術(shù)可以很好地應(yīng)對(duì)PWM整流的許多新問(wèn)題。但是，由于軟開(kāi)關(guān)需要增加輔助電路網(wǎng)絡(luò)，使得電路拓?fù)浜涂刂聘鼮閺?fù)雜，大大降低了變換器裝置工作的可靠性，因此實(shí)際實(shí)施起來(lái)還存在很大問(wèn)題。如果PWM整流采用硬開(kāi)關(guān)，工作在高頻情況下的開(kāi)關(guān)管損耗及由此引發(fā)的不少其他問(wèn)題，將使開(kāi)關(guān)管難以承受。所以，PWM整流雖然提出已經(jīng)超過(guò)10多年了，但迄今為止在大功率方面的實(shí)際應(yīng)用仍然非常有限，實(shí)際應(yīng)用多是小功率。若采用寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件，尤其是在大功率領(lǐng)域，將會(huì)使PWM整流的許多新問(wèn)題得到滿意解決。

 

  蘇黎世理工學(xué)院電力電子系統(tǒng)實(shí)驗(yàn)室將寬禁帶半導(dǎo)體器件引入到為航空電源系統(tǒng)開(kāi)發(fā)的10kW三相 WIENNA高功率因數(shù)整流器功率模塊中，取得很好的實(shí)際效果。該功率模塊中的電力電子器件由 RDSon COOLMOS+SiC二極管組成。電路拓?fù)溥x擇三相、三電平、六開(kāi)關(guān)的 WIENNA整流器拓?fù)?，如圖1所示。

 

  對(duì)于大功率、高效率、超緊湊式的高功率因數(shù)整流器，直接三相整流器，諸如三電平維也納整流器，是比較適合的整流解決方案。特別是航空電源系統(tǒng)，這是因?yàn)樾乱淮娘w機(jī)將在380Hz和800Hz之間變換。為了使諧波畸變最小，整流器開(kāi)關(guān)頻率的基頻需要增加到100kHz以上。這樣高的頻率只能使用MOSFET作為功率開(kāi)關(guān)。維也納整流器是三電平的拓?fù)?，它能減少電壓應(yīng)力和容許600V的MOSFET使用在400V線電壓主系統(tǒng)上。當(dāng)和SiC二極管組合后，開(kāi)關(guān)損耗會(huì)進(jìn)一步降低，整流器仍能達(dá)到高效率和高開(kāi)關(guān)頻率。當(dāng)用厚度只有12mm的小型SP6-P微封裝時(shí)，最小化的寄生電感和寄生電阻，變換器的性能會(huì)更進(jìn)一步提升。該微封裝的特性具有可焊的端子，能夠和置有去耦電容器和柵驅(qū)動(dòng)電路的頂部PCB直接接口。

 

  電源選擇了6開(kāi)關(guān)維也納整流器拓?fù)?見(jiàn)圖1)。它在開(kāi)關(guān)導(dǎo)通期間，每相的相電流僅流過(guò)二極管，因此具有較低的通態(tài)損耗。因?yàn)镾iC二極管易受高頻開(kāi)關(guān)的影響，接近零反向恢復(fù)性能的SiC二極管直接連接到正的和負(fù)的直流總線。為了達(dá)到高功率密度，無(wú)源元件(包括電感和電容)和功率半導(dǎo)體器件的體積必須盡量減小。和常用系統(tǒng)相比，增加開(kāi)關(guān)頻率5~10倍，就可大大減少分立無(wú)源元件的尺寸。

 

 

  整流器的元器件配置包括許多分立器件(6個(gè)快速SiC二極管、6個(gè)MOSFET、3個(gè)晶閘管和3個(gè)標(biāo)準(zhǔn)整流二極管)，使用這些不同工藝的分立器件可以構(gòu)成一個(gè)完整的拓?fù)渑渲?，從而適應(yīng)很寬的功率范圍。此外，連接半導(dǎo)體器件的長(zhǎng)電纜不可避免地會(huì)產(chǎn)生導(dǎo)線電感，這會(huì)增加功率半導(dǎo)體器件的電壓應(yīng)力，同時(shí)限制開(kāi)關(guān)速度。同時(shí)考慮到瞬變或振蕩有可能出現(xiàn)，并且很難抵消或者衰減掉，這會(huì)影響系統(tǒng)的穩(wěn)定性和電磁兼容性能。因此有必要把所有的功能集中在一個(gè)單獨(dú)的封裝里，以實(shí)現(xiàn)三電平維也納整流器的功率轉(zhuǎn)換模塊，如圖2所示。

 

 

  電路中相控晶閘管的特性為U_RRM=1200V，l_TAV=30A，U_TO=0.85V，R_T=10m?。主要的整流二極管VD_1B、VD_3B和VD_5B的特性為U_RRM=1200V，I_TAV=40A，V_TO=0.8V，R_T=6.5m?。MOSFET開(kāi)關(guān)用600V超低導(dǎo)通電阻的RDSonCOOLMOS，較低的輸入電容可以允許它在幾百千赫范圍高頻工作，在輸出高功率時(shí)其導(dǎo)通損耗還可以接受。每個(gè)高頻二極管用兩個(gè)10A 600V的SiC二極管管芯并聯(lián)構(gòu)成。由于SiC二極管的正向壓降U_F具有正溫度系數(shù)，分配到每個(gè)器件的靜態(tài)電流是絕對(duì)安全的，不會(huì)有熱失控的危險(xiǎn)。與同標(biāo)準(zhǔn)的快速硅二極管相比，SiC二極管具有零正向和反向恢復(fù)損耗的重要優(yōu)勢(shì)。圖3給出了在一個(gè)常規(guī)的升壓斬波電路中，快恢復(fù)硅二極管(FRED)的恢復(fù)性能。

 

 

  當(dāng)采用硬開(kāi)關(guān)時(shí)，二極管的恢復(fù)電流對(duì)功率開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通損耗有明顯的影響。隨著開(kāi)關(guān)頻率的增高，這種特性會(huì)使功率開(kāi)關(guān)和二極管產(chǎn)生大量導(dǎo)通損耗，而且在恢復(fù)階段的后期產(chǎn)生振蕩，由此引起明顯的系統(tǒng)噪聲，而這很難通過(guò)昂貴的及大型的輸入濾波器來(lái)削減。

 

  另外一方面，圖4給出了升壓開(kāi)關(guān)在相同的導(dǎo)通性能時(shí)，用SiC二極管代替硅二極管后的情況。

 

 

  采用SiC二極管快恢復(fù)的結(jié)果，只在開(kāi)關(guān)和二極管中產(chǎn)生非常低的開(kāi)關(guān)損耗。在二極管關(guān)斷時(shí)，只觀察到很小的峰值電流，這是由于肖特基勢(shì)壘器件的結(jié)電容而不是反向恢復(fù)性能引起的。與使用通常的快恢復(fù)二極管對(duì)照，沒(méi)有測(cè)到瞬變或振蕩。如此穩(wěn)定的開(kāi)關(guān)最有利于降低輸入濾波器的尺寸和復(fù)雜性，并且有利于幫助滿足抗電磁干擾和射頻干擾的要求。

 

  SiC器件的快恢復(fù)性能不僅在常溫下非常卓越，而且在很寬的溫度范圍內(nèi)也很穩(wěn)定。圖5給出Cree公司的一個(gè)10A/600V SiC二極管和硅二極管在相同電流和電壓級(jí)別下，在不同結(jié)溫度范圍內(nèi)的反向恢復(fù)特性的比較。

 

 

  SiC器件呈現(xiàn)出不受溫度變化影響的開(kāi)關(guān)性能，甚至在很高結(jié)溫下還能夠穩(wěn)定地工作。同硅二極管比較，使用SiC器件的開(kāi)關(guān)損耗也保持在一個(gè)穩(wěn)定的狀態(tài)，而硅器件的開(kāi)關(guān)損耗則隨著溫度的上升而顯著地增加。

 

  COOLMOS(低損耗MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管)和SiC器件都能夠在高溫下工作，極有利于航空中應(yīng)用。因?yàn)橐獙⒐β势骷糜陲w機(jī)發(fā)動(dòng)機(jī)附近，即電力電子系統(tǒng)集成的要求不斷地增強(qiáng)。當(dāng)本征載流子密度達(dá)到基體材料的摻雜密度的量級(jí)時(shí)，電參數(shù)預(yù)期會(huì)明顯地變化。最高結(jié)溫也取決于擊穿電壓，例如，1000V擊穿電壓的器件，其結(jié)溫為150℃，100V為200℃。在相同的阻塞電壓下，與普通的硅晶體管相比， COOLMOS晶體管基區(qū)的高摻雜濃度可以容許在較高的溫度下工作。因此COOLMOS器件能夠在200℃地工作。本征載流子密度取決于半導(dǎo)體材

料的帶隙。由于SiC器件中的材料帶隙是Si器件的3倍，所以SiC器件能夠在0℃及以上的溫度下工作(主要受封裝技術(shù)的限制)。

 

  還應(yīng)該指出，隨著溫度的上升，COOLMOS晶體管和SiC器件都呈現(xiàn)出很低的泄漏電流，當(dāng)提高工作溫度時(shí)，可以最底限度地減少功耗和提高可靠性。同樣，由于SiC器件熱傳導(dǎo)是Si器件的3倍，SiC器件能夠提供很高的電流密度，因而還可以減小功率系統(tǒng)的尺寸。

 

  圖6示出將所有功率半導(dǎo)體器件用銅焊接在鋁襯底上的功率模塊圖。封裝中用了三塊相同的襯底來(lái)提供良好的設(shè)計(jì)對(duì)稱性。為了使熱量良好地傳輸?shù)缴崞?，將襯底焊接到一個(gè)銅基板上。

 

 

 

  為了更進(jìn)一步減小正比于元件連接數(shù)的寄生電感，用單獨(dú)的Vbus和0/V bus連接每一個(gè)橋臂。同時(shí)，電源連接也盡可能靠近功率半導(dǎo)體器件附近，以減少雜散電感，縮短高頻回路，并有利于和置于在外部直接通過(guò)功率模塊輸出端的外部電容器解耦。電源連接處用短而寬的鋁框架端扣住，有利于連接到頂部的PCB。模塊用硅膠密封，并覆蓋塑料蓋(見(jiàn)圖7)。這種結(jié)構(gòu)能滿足由惡劣的航空環(huán)境所確定的高加速應(yīng)力測(cè)試。

 

  使用比氧化鋁襯底具有更好熱傳導(dǎo)性的氮化鋁襯底，可以進(jìn)一步提高熱性能和擴(kuò)展工作溫度范圍。另一方面，使用密度僅為銅的1/3的碳化鋁硅( AlSiC)基板，能夠明顯地減輕功率模塊的重量，這對(duì)于航空電氣系統(tǒng)具有重要的意義。AlSiC金屬基體合成材料所具有的溫度膨脹系數(shù)非常接近功率器件的焊接襯底，能夠顯著地提高功率模塊溫度周期性變化特性，從而提高整個(gè)功率系統(tǒng)的總體可靠性。

 

  通過(guò)采用COOLMOS+SiC二極管以及各種技術(shù)措施，由蘇黎世ETH電力電子系統(tǒng)實(shí)驗(yàn)室設(shè)計(jì)的功率輸出為10kW的三相維也納整流器功率模塊，實(shí)現(xiàn)了8.5kW/in³(0.518W/cm³)的功率密度，這只是100kHz開(kāi)關(guān)頻率情況。若將開(kāi)關(guān)頻率進(jìn)一步提高到400kHz，可使用更小的EMI濾波器和升壓電感器，得到更高的功率密度，并能夠保持9.5%以上的高效率。

 

  圖8示出的是使用了小尺寸的扁平升壓電感器的功率模塊，已連接到經(jīng)優(yōu)化的氣冷散熱片上。圖中，塑料蓋已移開(kāi)。PCB上有103陶瓷電容(AVX 220nF 630V SMD)，容量為22.7µF，被安裝在模塊的頂部而不是模塊的蓋板上。SMD電容安裝在PCB底部，使得在相同體積的情況下，能夠增加頂部電容。該板和集成到模塊中的電容器比較起來(lái)，有相同的低電感，但卻不會(huì)出現(xiàn)問(wèn)題，因?yàn)殡娙葜辉谀K內(nèi)部經(jīng)受熱應(yīng)力和機(jī)械應(yīng)力。

 

 

  設(shè)計(jì)的整流器具有低寄生電感以及高功率密度，以便能在最小輸出電容下工作。系統(tǒng)標(biāo)稱電壓為400V，能在320~480V很寬的線電壓范圍內(nèi)工作。如果需要調(diào)整輸出電壓到800V，可以分成兩路400V輸出。為了輸出10kW的功率，輸入相電流有效值大約為15A。一個(gè)控制環(huán)路工作在開(kāi)關(guān)頻率處的全數(shù)字化控制器用來(lái)產(chǎn)生400kHz的開(kāi)關(guān)信號(hào)。圖9和圖10示出定型后的整流器的三維CAD造型，圖11和圖12所示分別是相應(yīng)的底視圖和頂視圖。

 

 

  由圖11和圖12可見(jiàn)，輸入EMI濾波器占據(jù)大約30%的體積，氣冷系統(tǒng)也占據(jù)大約30%的體積。升壓電感器、功率模塊、互聯(lián)線與控制板占據(jù)了剩余的空間。在4層的主PCB上，電流從輸入端經(jīng)過(guò)EMI濾波器，電流傳感器和升壓電感，最后到功率模塊。陶瓷輸出電容器安裝在隔離的PCB上，PCB直接裝到功率模塊的頂部。這能最低限度地減小升壓二極管和輸出電容之間的電感。另外，電解輸出直流電容器安裝在PCB主板的上面。6個(gè)MOGFET和3個(gè)晶閘管的柵驅(qū)動(dòng)器安裝在數(shù)字控制板的下面。3個(gè)高帶寬(1MHz)磁阻電流傳感器垂直安置在升壓電感器和最后一個(gè)EMI子板之間。輸入和輸出電壓測(cè)量電路也安裝在PCB主板。數(shù)字控制器基于模擬器件ADSP-21992DSP構(gòu)成一個(gè)單獨(dú)的PCB，直接插入到PCB主板。DSP的采樣速率是400kHz的開(kāi)關(guān)頻率，并能夠用匯編語(yǔ)言編程。10kW的三相維納整流器的總體積是1200cm³。

 

 

 

  對(duì)維納整流器的性能進(jìn)行了初步測(cè)試。圖13示出在230V相電壓，680V輸出電壓和4kW的功率輸出時(shí)的三相輸入電流和一相輸入電壓情況。由圖13可見(jiàn)，在4kW的輸出功率時(shí)，線電流為5.8ARMS，THD為4.75%(高到第20次諧波)。從電流波形可以看出，相電流過(guò)零點(diǎn)時(shí)有失真，該失真又會(huì)引起其他相電流的失真?？刂葡到y(tǒng)此刻開(kāi)始以箝制過(guò)零點(diǎn)時(shí)的開(kāi)關(guān)來(lái)消除任何對(duì)相電壓和相電流測(cè)量的噪聲敏感性。

 

 

  大功率、高效和緊湊式的單位功率因數(shù)整流器是最佳電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的精選、是當(dāng)前最佳功率半導(dǎo)體器件和3維裝配現(xiàn)代化封裝技術(shù)相結(jié)合的成果。由蘇黎世ETH實(shí)驗(yàn)室開(kāi)發(fā)的具有8.5kW/L功率密度的三相超緊湊式維也納整流器，具有3級(jí)轉(zhuǎn)換器的電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，是允許使用600V耐壓器件在400V的線電壓工作的最佳選擇，而其他的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)需要1200V的耐壓器件。600V晶體管比等效的1200V晶體管具有更低的導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗。當(dāng)和SiC二極管組合時(shí)，現(xiàn)代工藝的超結(jié)MOSFET器件能全速工作，而相比于用硅二極管時(shí)的開(kāi)關(guān)電流，額定值又沒(méi)有明顯的降低。以芯片形式裝入小型的ST6-P封裝，能保持功率半導(dǎo)體器件的全速性能，又不會(huì)在功率電路上產(chǎn)生額外的寄生效應(yīng)。100kHz的工作頻率已經(jīng)滿足了控制環(huán)路的要求，如果進(jìn)一步提高工作頻率至400kHz，那將能更強(qiáng)烈的減小磁性元件和全系統(tǒng)的體積。

 

  該系統(tǒng)還有進(jìn)一步改善的潛力。如可用氮化鋁襯底來(lái)改善整流器的性能，在相同的輸出功率下，降低器件結(jié)溫。并有可能在同樣的工作溫度下，提高效率或增加輸出功率；使用AlSiC基板代替銅基板，可以降低功率模塊的重量，亦即減少整流器的重量；改善功率模塊的溫度周期特性，必要時(shí)使系統(tǒng)能適應(yīng)快速短暫的溫度變化等。