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  • LED失效分析(發(fā)光失效)
    LED失效分析(發(fā)光失效)
  • LED失效分析(發(fā)光失效)
  •   發(fā)布日期: 2016-04-03  瀏覽次數(shù): 1,193
    1. 案例背景
    LED加電不亮,手輕壓可正常發(fā)光。
     
    2. 分析方法簡述
    1)X射線透視可明顯發(fā)現(xiàn)NG樣品上的兩根連接在LED內(nèi)部大晶片上的綁定線在綁定點端頭部分有明顯斷裂,內(nèi)部連接負(fù)極的一端綁定良好。OK樣品則未見任何異常。
    2)用化學(xué)方法腐蝕掉LED燈表面封裝膠體,電子顯微鏡觀察其內(nèi)部結(jié)構(gòu),可明顯看到芯片內(nèi)部連接正極的兩條金線在端頭部分存在明顯的機(jī)械應(yīng)力斷裂,斷口有頸縮及金屬機(jī)械拉尖現(xiàn)象。斷裂位置均在綁定頸部位置,綁定點位置綁定良好。剖面觀察未見LED半球形的封膠體有明顯的裂紋或氣孔等封裝缺陷。
    3)從LED開封后的內(nèi)部結(jié)構(gòu)來看,該樣品不同于常見LED的封裝,晶片上的正極綁定點為帶尾翼的第二綁定點(一般第二綁定點是晶片封裝中強(qiáng)度薄弱的點,易發(fā)生斷裂等異常),而框架負(fù)極上的綁定點反而為球型的第一綁定點。發(fā)生機(jī)械斷裂的正是帶尾翼的第二綁定點位置,該位置立體空間上高于負(fù)極的第一綁定點,更易受到外部機(jī)械應(yīng)力的影響。
     

    圖1.LED外觀照片

     

    圖2.NG樣品X射線透視照片

     

    圖3. NG樣品剖面SEM/EDS圖片(150X)

     

    圖4.NG樣品開封后SEM照片(150X,1000X,3000X)

     

    3. 失效模式分析

    LED失效模式主要有:晶片失效、封裝失效、熱應(yīng)力失效、機(jī)械應(yīng)力失效、電過應(yīng)力失效及鍵合失效。該NG樣品均為機(jī)械應(yīng)力致失效。

    1)晶片失效:晶片失效是指晶片本身失效或其它原因造成晶片失效。造成這種失效的原因往往有很多種:晶片裂紋是由于鍵合工藝條件不合適,造成較大的應(yīng)力,隨著熱量積累所產(chǎn)生的熱機(jī)械應(yīng)力也隨之加強(qiáng),導(dǎo)致晶片產(chǎn)生微裂紋,工作時注入的電流會進(jìn)一步加劇微裂紋使之不斷擴(kuò)大,直至完全失效。其次,如果芯片有源區(qū)本來就有損傷,那么會導(dǎo)致在加電過程中逐漸退化直至失效,同樣也會造成燈具在使用過程中光衰嚴(yán)重直至不亮。再者,若晶片粘結(jié)工藝不良,在使用過程中會導(dǎo)致晶片粘結(jié)層完全脫離粘結(jié)面而使得樣品發(fā)生開路失效,同樣也會造成LED在使用過程中發(fā)生“死燈”現(xiàn)象。導(dǎo)致晶片粘結(jié)工藝不良的原因,可能是由于使用的銀漿(絕緣膠)過期或者暴露時間過長、銀漿(絕緣膠)使用量過少、固化時間過長、固晶基面被污染等。

    2)封裝失效:封裝失效是指封裝設(shè)計或生產(chǎn)工藝不當(dāng)導(dǎo)致器件失效。封裝所用的環(huán)氧樹脂材料,在使用過程中會發(fā)生劣化問題,致使LED的壽命降低。這種劣化問題包括:光透過率、折射率、膨脹系數(shù)、硬度、透水性、透氣性、填料性能等,其中尤以光透過率最為重要。對于封裝而言,還有一個影響LED壽命的重要因素就是腐蝕。在LED使用中,一般引起腐蝕的主要原因是水汽滲入了封裝材料內(nèi)部,導(dǎo)致引線變質(zhì)、PCB銅線銹蝕;有時,隨水汽引入的可動導(dǎo)電離子會駐留在芯片表面,從而造成漏電。此外,封裝質(zhì)量不好的器件,在其封裝體內(nèi)部會有大量的殘留氣泡,這些殘留的氣泡同樣也會造成器件的腐蝕。

    3)熱過應(yīng)力失效:高功率LED結(jié)溫升高會使得環(huán)氧樹脂材料發(fā)生異變,從而增加了系統(tǒng)的熱阻,使得晶片與封裝之間的受熱表面發(fā)生退化,最終導(dǎo)致封裝失效。

    4)電過應(yīng)力:LED若受到過電流(EOS)或者靜電沖擊(ESD),都會造成晶片開路,形成電過應(yīng)力失效。例如,GaN是寬禁帶材料,電阻率較高。如果使用該類晶片,在生產(chǎn)過程中因靜電產(chǎn)生的感生電荷不易消失,當(dāng)其累積到相當(dāng)?shù)某潭葧r,可以產(chǎn)生很高的靜電電壓,這一電壓一旦超過材料的承受能力,就會發(fā)生擊穿現(xiàn)象并放電,使得器件失效。

    5)鍵合失效:LED制造過程中鍵合條件不當(dāng),若鍵合力過大將會壓傷晶片,反之則會造成器件的鍵合強(qiáng)度不足,使得器件容易脫松,或完全未形成良好的鍵合界面。

    6)機(jī)械應(yīng)力失效:LED在SMT工藝流轉(zhuǎn)、測試或運輸中,外部的夾具、模具或其它硬質(zhì)的材料撞擊LED燈封裝體,導(dǎo)致其內(nèi)部結(jié)構(gòu)瞬間移位拉斷內(nèi)部綁定線。這類失效發(fā)現(xiàn)在較軟封裝體的幾率較大。

     

    4. 結(jié)論

    導(dǎo)致失效樣品LED加電不亮,手輕壓可正常發(fā)光(開路)的原因:NG樣品受到外部機(jī)械應(yīng)力影響內(nèi)部晶片上的第二綁定點發(fā)生機(jī)械應(yīng)力斷裂。

     

    注:由于實際報告內(nèi)容過多,所以此文章已把內(nèi)容簡化,如有不足、片面之處,懇請指正。


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