場(chǎng)效應(yīng)管有輸入阻抗高。由于柵源之間是SiO2層，柵源之間的直流電阻基本上就是SiO2絕緣電阻，一般達(dá)100MΩ左右，交流輸入阻抗基本上就是輸入電容的容抗。

　　驅(qū)動(dòng)電流小。由于輸入阻抗高，VMOS管是一種壓控器件，一般有電壓就可以驅(qū)動(dòng)，所需的驅(qū)動(dòng)電流極小。

　　跨導(dǎo)的線性較好。具有較大的線性放大區(qū)域，與電子管的傳輸特性十分相似。較好的線性就意味著有較低的失真，尤其是具有負(fù)的電流溫度系數(shù)（即在柵極與源極之間電壓不變的情況下，導(dǎo)通電流會(huì)隨管溫升高而減小），故不存在二次擊穿所引起的管子損壞現(xiàn)象。因此，VMOS管的并聯(lián)得到了廣泛的應(yīng)用。

　　結(jié)電容無(wú)變?nèi)菪?yīng)。VMOS管的結(jié)電容不隨結(jié)電壓而變化，無(wú)一般晶體管結(jié)電容的變?nèi)菪?yīng)，可避免由變?nèi)菪?*致的失真。

　　頻率特性好。VMOS場(chǎng)效應(yīng)管的多數(shù)載流子運(yùn)動(dòng)屬于漂移運(yùn)動(dòng)，且漂移距離僅1～1.5um，不受晶體管那樣的少數(shù)載流子基區(qū)過(guò)渡時(shí)間**，故功率增益隨頻率變化極小，頻率特性好。

　　開(kāi)關(guān)速度快。由于沒(méi)有少數(shù)載流子的存儲(chǔ)延遲時(shí)間，VMOS場(chǎng)效應(yīng)管的開(kāi)關(guān)速度快，可在20ns內(nèi)開(kāi)啟或關(guān)斷幾十A 電流。
利用以上特點(diǎn)，我們總結(jié)歸納出了以下幾點(diǎn)常用的作用

　　1.場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。

　　2.場(chǎng)效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換。

　　3.場(chǎng)效應(yīng)管可以用作可變電阻。

　　4.場(chǎng)效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。

　　5.場(chǎng)效應(yīng)管可以用作電子開(kāi)關(guān)。