本發(fā)明涉及半導(dǎo)體芯片技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種高可靠性玻璃鈍化(GPP)芯片制備方法。

背景技術(shù)：

GPP(玻璃鈍化)芯片是目前高新技術(shù)的主流。GPP工藝分為三種工藝實(shí)現(xiàn)方法：①刀刮法②光阻法③電泳法，然而這三種方法均有優(yōu)缺點(diǎn)，刀刮法成本低但漏電不均勻；光阻法參數(shù)一致性雖較好但成本較高；電泳法一次性投資大，環(huán)保成本高，廢棄物不易處理。

目前對(duì)半導(dǎo)體表面鈍化的要求越來(lái)越高，GPP芯片應(yīng)具備：1、良好的電氣性能和可靠性，包括電阻率、介電強(qiáng)度、離子遷移率等，材料的引入不應(yīng)給器件帶來(lái)副作用；二是良好的化學(xué)穩(wěn)定性，具有一定的抗化學(xué)腐蝕能力；三是可操作性，工藝簡(jiǎn)單、重復(fù)性好，能與器件制造工藝相容，材料的膨脹系數(shù)要與硅材料相一致或接近；四是經(jīng)濟(jì)性，可大批量生產(chǎn)，制造成本要低，有市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，材料和工藝有強(qiáng)大的生命力和開(kāi)發(fā)潛力。然而現(xiàn)在市面上的方法制備的GPP芯片存在這樣那樣的問(wèn)題，不能滿(mǎn)足需要。
技術(shù)特征：

1.一種高可靠性GPP芯片制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

1)將擴(kuò)散好的PN結(jié)硅片上涂上光刻膠；

2)采用HF:HNO3:HAC混合的腐蝕液進(jìn)行腐蝕溝槽；

3)采用LPCVD生長(zhǎng)方式在溝槽內(nèi)進(jìn)行摻氧摻氮；

4)刮涂玻璃粉，燒結(jié)玻璃；

5)在步驟4)燒結(jié)后采用PECVD生長(zhǎng)軟Si3N4；

6)進(jìn)行二次光刻并鍍Ni，然后鍍Ni-Si合金，鍍完Ni-Si合金后再次鍍Ni；

7)測(cè)試；

8)背面激光劃片。

2.如權(quán)利要求1所述的高可靠性GPP芯片制備方法，其特征在于，所述步驟2)中HF:HNO3:HAC的體積比為0.8～1.2:0.8～1.2:1.8～2.2，所述HF、HNO3、HAC的質(zhì)量分?jǐn)?shù)濃度分別為40～45％、83～93％、33～45％。

3.如權(quán)利要求1所述的高可靠性GPP芯片制備方法，其特征在于，所述步驟3)采用LPCVD生長(zhǎng)方式在溝槽內(nèi)進(jìn)行摻氧摻氮的條件為650℃～750℃，

4.如權(quán)利要求1所述的高可靠性GPP芯片制備方法，其特征在于，所述步驟4)在820℃～850℃，N2+O2條件下進(jìn)行燒結(jié)玻璃。

5.如權(quán)利要求1所述的高可靠性GPP芯片制備方法，其特征在于，所述步驟5)PECVD的工作條件為380℃～420℃，

6.如權(quán)利要求1所述的高可靠性GPP芯片制備方法，其特征在于，所述步驟6)中在580～620℃、N2+H2條件下鍍Ni-Si合金。