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  • 關(guān)于汽車電子新型LT8210控制電源解決方案
    關(guān)于汽車電子新型LT8210控制電源解決方案
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  •   發(fā)布日期: 2020-06-21  瀏覽次數(shù): 1,060

    簡(jiǎn)介

    為汽車電子系統(tǒng)供電時(shí),不但需要滿足高可靠性要求,還需要應(yīng)對(duì)相對(duì)不太穩(wěn)定的電池電壓,具有一定挑戰(zhàn)性。與車輛電池連接的電子和機(jī)械系統(tǒng)具有差異性,可能導(dǎo)致標(biāo)稱12 V電源出現(xiàn)大幅電壓偏移。事實(shí)上,在一定時(shí)間段內(nèi),12 V電源的變化范圍為–14 V至+35 V,且可能出現(xiàn)+150 V至–220 V的電壓峰值。其中有些浪涌和瞬變?cè)谌粘J褂弥谐霈F(xiàn),其他則是因?yàn)楣收匣蛉藶殄e(cuò)誤導(dǎo)致。無論起因?yàn)楹?,它們?duì)汽車電子系統(tǒng)造成的損害難以診斷,修復(fù)成本也很高昂。

     

    通過總結(jié)上個(gè)世紀(jì)的經(jīng)驗(yàn),汽車制造商對(duì)會(huì)干擾運(yùn)行、造成損壞的電子狀況和瞬變進(jìn)行了分類。國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)化組織(ISO)對(duì)這些行業(yè)知識(shí)進(jìn)行編譯,制定出適用于道路車輛的ISO 16750-2和ISO 7367-2規(guī)范。汽車電子控制單元(ECU)使用的電源至少應(yīng)該能夠承受這些狀況,且不造成損壞。至于關(guān)鍵系統(tǒng),則必須保持其功能性和容差。這需要電源能夠通過瞬變調(diào)節(jié)輸出電壓,以保持ECU運(yùn)行。理想情況下,完整的電源解決方案無需使用保險(xiǎn)絲,可以最大限度降低功耗,且采用低靜態(tài)電流,在不耗盡電池電量的情況下,支持系統(tǒng)始終保持開啟。

    圖1.ISO 7367-2:帶和不帶330 μF旁路電容的脈沖1。

    ISO 16750-2汽車電子系統(tǒng)面臨的狀況

    ADI公司發(fā)布了多份刊物,詳細(xì)介紹ISO 7367-2和ISO 16750-2規(guī)范,以及如何使用LTspice®模擬這些規(guī)范。1,2,3,4

    在最近的迭代中,ISO 7367-2電磁兼容規(guī)范主要介紹來自相對(duì)較高的阻抗源(2 Ω至50 Ω)的大幅度(》100 V)、短時(shí)持續(xù)(150 ns至2 ms)瞬變。這些電壓峰值通常可以使用無源組件消除。圖1顯示定義的ISO 7367-2脈沖1,以及增加的330 μF旁路電容。電容將尖峰幅度從–150 V降低至–16 V,完全在反向電池保護(hù)電路支持的范圍內(nèi)。ISO 7367-2脈沖2a、3a和3b的能耗遠(yuǎn)低于脈沖1,所需的抑制電容也更少。

    ISO 16750-2主要介紹來自低阻抗源的長(zhǎng)脈沖。這些瞬變無法輕松過濾,通常需要使用基于穩(wěn)壓器的主動(dòng)式解決方案。一些更具挑戰(zhàn)性的測(cè)試包括:負(fù)載突降(測(cè)試4.6.4)、電池反接(測(cè)試4.7)、疊加交變電壓測(cè)試(測(cè)試4.4),以及發(fā)動(dòng)機(jī)啟動(dòng)工況(測(cè)試4.6.3)。圖2顯示了這些測(cè)試脈沖的視圖。ISO 16750-2中所示條件的差異性,加上ECU對(duì)電壓和電流的要求,通常需要合并使用這些方案,以滿足所有要求。

    圖2.一些更嚴(yán)格的ISO 16750-2測(cè)試的概述。

    負(fù)載突降

    負(fù)載突降(ISO 16750-2:測(cè)試4.6.4)屬于嚴(yán)重的瞬態(tài)過壓,模擬電池?cái)嚅_,但交流發(fā)電機(jī)提供大量電流的情況。負(fù)載突降期間的峰值電壓被分為受抑制電壓或未受抑制電壓,由3相交流發(fā)電機(jī)的輸出是否使用雪崩二極管來決定。受抑制的負(fù)載突降脈沖限制在35 V,不受抑制的脈沖峰值范圍則為79 V至101 V。無論是哪種情況,因?yàn)榻涣靼l(fā)電器定子繞組中存儲(chǔ)了大量電磁能量,所以可能需要400 ms進(jìn)行恢復(fù)。雖然大部分汽車制造商使用雪崩二極管,但隨著人們對(duì)可靠性的要求不斷增高,使得一些制造商要求ECU的峰值負(fù)載突降電壓必須接近未受抑制情況下的電壓。

    解決負(fù)載突降問題的解決方案之一就是添加瞬變電壓抑制器(TVS)二極管,從局部箝位ECU電源。更緊湊、容差更嚴(yán)格的方法則是使用主動(dòng)浪涌抑制器,例如LTC4364,該抑制器以線性方式控制串接的N通道MOSFET,將最大輸出電壓箝位至用戶配置的水平(例如,27 V)。浪涌抑制器可以幫助斷開輸出,支持可配置限流值和欠壓定,且可使用背靠背NFET提供通常需要的反向電池保護(hù)。

    對(duì)于線性穩(wěn)壓功率器件,例如浪涌抑制器,存在的隱患在于,在負(fù)載突降期間限制輸出電壓,或者在短路輸出期間限制電流時(shí),N通道MOSFET可能功耗較大。功率MOSFET的安全工作區(qū)域(SOA)限制最終會(huì)限制浪涌抑制器能夠提供的最大電流。它還給出了在N通道MOSFET必須關(guān)閉,以避免造成損壞之前,必須保持穩(wěn)壓的時(shí)長(zhǎng)限制(通常使用可配置定時(shí)器引腳設(shè)置)。這些SOA導(dǎo)致的限制隨著工作電壓升高變得更加嚴(yán)重,增加了浪涌抑制器在24 V和48 V系統(tǒng)中使用的難度。

    更具擴(kuò)展性的方法使用降壓穩(wěn)壓器,該穩(wěn)壓器可在42 V輸入下運(yùn)行,例如LT8640S。開關(guān)穩(wěn)壓器線性穩(wěn)壓器不同,并無MOSFET SOA限制,但顯然它更加復(fù)雜。降壓穩(wěn)壓器的效率支持實(shí)施大電流操作,其頂部開關(guān)則允許輸出斷開,并支持電流限制。至于降壓穩(wěn)壓器靜態(tài)電流問題,已由最新一代器件解決,這些器件僅消耗幾微安電流,在無負(fù)載條件下也保持穩(wěn)壓。通過使用Silent Switcher®技術(shù)和展頻技術(shù),開關(guān)噪聲問題也得到大幅改善。

    此外,有些降壓穩(wěn)壓器能按100%占空比運(yùn)行,保證頂部開關(guān)持續(xù)開啟,通過電感將輸入電壓傳輸?shù)捷敵?。在過壓或過流條件下,會(huì)觸發(fā)開關(guān)操作,以分別限制輸出電壓或電流。這些降壓穩(wěn)壓器(例如LTC7862)作為開關(guān)浪涌抑制器使用,實(shí)現(xiàn)低噪聲、低損耗操作,同時(shí)保持開關(guān)模式電源的可靠性。

    圖3.解決困難的ISO 16750-2測(cè)試的不同方法。

    反向電壓

    當(dāng)電池終端或跳線因?yàn)椴僮鲉T故障反向連接時(shí),會(huì)發(fā)生反向電壓條件(也稱為反向電池條件)。相關(guān)的ISO 16750-2脈沖(測(cè)試4.7)反復(fù)對(duì)DUT施加–14 V電壓,每次60秒。關(guān)于此測(cè)試,有些制造商增加了自己的動(dòng)態(tài)版本,在突然施加反向偏置(–4 V)之前,先起始地為此器件供電(例如,VIN=10.8 V)。

    快速研究數(shù)據(jù)手冊(cè)后發(fā)現(xiàn),很少有IC設(shè)計(jì)可以接受反向偏置,其中IC的絕對(duì)最小引腳電壓一般限制在–0.3 V。低于地的電壓如果超過一個(gè)二極管的電壓,會(huì)導(dǎo)致額外電流流過內(nèi)部結(jié),例如ESD保護(hù)器件和功率MOSFET的體二極管。在反向電池條件下,極化旁路電容(例如鋁電解電容)也可能受到損壞。

    肖特基二極管可以防止反向電流,但在正常運(yùn)行期間,正向電流更高時(shí),這種方法會(huì)導(dǎo)致更大功耗。圖3所示為基于串接P通道MOSFET的簡(jiǎn)單保護(hù)方案,這種方案可以降低功耗損失,但在低輸入電壓下(例如,發(fā)動(dòng)機(jī)啟動(dòng)),因?yàn)槠骷?u style="color: rgb(51, 51, 51) !important;">閾值電壓的原因,這種方案可能無法順暢運(yùn)行。更加有效的方法是使用理想的二極管控制器(例如LTC4376),以驅(qū)動(dòng)串行N通道MOSFET,該MOSFET在負(fù)電壓時(shí)切斷輸入電壓。正常運(yùn)行期間,理想二極管控制器調(diào)節(jié)N通道MOSFET的源漏電壓降低到30 mV或更低,將正向壓降和功耗降低超過一個(gè)數(shù)量級(jí)(相比肖特基二極管)。

    圖4.支持帶通模式的降壓-升壓控制器解決了汽車標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試帶來的許多問題。

    疊加交變電壓

    疊加交變電壓測(cè)試(ISO 16750-2:測(cè)試4.4)模擬汽車的交流發(fā)電器的交流輸出的影響。正如名字所示,正弦信號(hào)在電池軌道上疊加,峰峰值幅度為1 V、2 V或4 V,具體由嚴(yán)重程度分類決定。對(duì)于所有嚴(yán)重性等級(jí),最大輸入電壓為16 V。正弦頻率以對(duì)數(shù)方式排列,范圍為50 Hz至25 kHz,然后在120秒內(nèi)回到50 Hz,總共重復(fù)5次。

    本測(cè)試會(huì)導(dǎo)致在任何的互連濾波器網(wǎng)絡(luò)內(nèi)產(chǎn)生大幅度諧振低于25 kHz的電流和電壓擺幅,。它也會(huì)使開關(guān)穩(wěn)壓器出現(xiàn)問題,其環(huán)路帶寬限制使其難以通過高頻率輸入信號(hào)進(jìn)行調(diào)節(jié)。解決方案就像是中間整流元件,例如功率肖特基二極管,但對(duì)于反向電壓保護(hù),這并不是一種解決問題的好方法。

    在這種情況下,理想的二極管控制器無法像在反向電壓保護(hù)應(yīng)用中一樣發(fā)揮作用,因?yàn)樗鼰o法足夠快速地開關(guān)N通道MOSFET,以和輸入保持同步。柵極上拉強(qiáng)度是其中一個(gè)限制因素,一般因?yàn)閮?nèi)部電荷泵限制在20 μA左右。當(dāng)理想的二極管控制器能夠快速關(guān)閉MOSFET時(shí),開啟速度會(huì)非常慢,不適合對(duì)極低頻率以外的情況實(shí)施整流。

    更合適的方法是使用LT8672主動(dòng)整流器控制器,該控制器可以快速開關(guān)N通道MOSFET,以按高達(dá)100 kHz的頻率整流輸入電壓。主動(dòng)整流器控制器是帶有兩個(gè)重要附加器件的理想二極管控制器:一個(gè)由輸入電壓增壓的大型電荷存儲(chǔ)器,一個(gè)快速開關(guān)N通道MOSFET的強(qiáng)勁柵極驅(qū)動(dòng)器。與使用肖特基二極管相比,這種方法可以降低功率損失達(dá)90%以上。LT8672也和理想的二極管控制器一樣,保護(hù)下游電路不受電池反接影響。

    圖5.這個(gè)3 V至100 V 輸入降壓-升壓控制器以8 V至17 V帶通輸出運(yùn)行。

    啟動(dòng)工況

    發(fā)動(dòng)機(jī)啟動(dòng)工況(ISO 16750-2:測(cè)試4.6.3)屬于極端欠壓瞬變,有時(shí)候指代冷啟動(dòng)脈沖,這是因?yàn)樵诟蜏囟认?,?huì)發(fā)生最糟糕的電池壓降。特別是,當(dāng)啟動(dòng)器啟動(dòng)時(shí),12 V電池電壓可能立刻降低到8 V、6 V、4.5 V或3 V,具體由嚴(yán)重程度分類決定(分別為I、IV、II和III級(jí))。

    在有些系統(tǒng)中,低壓差(LDO)線性穩(wěn)壓器或開關(guān)降壓穩(wěn)壓器足以支持電源電軌應(yīng)對(duì)這些瞬變,只要ECU電壓低于最低的輸入電壓。例如,如果最高的ECU輸出電壓為5 V,且其必須達(dá)到嚴(yán)重程度等級(jí)IV(最低輸入電壓6 V),那么使用壓差低于1 V的穩(wěn)壓器即可。發(fā)動(dòng)機(jī)啟動(dòng)工況電壓最低的分區(qū)只能持續(xù)15 ms至20 ms,所以大型旁路電容之后的整流器件(肖特基二極管、理想的二極管控制器、主動(dòng)整流器控制器)可能能夠經(jīng)受這部分脈沖,如果電壓凈空短暫地下降至低于穩(wěn)壓器壓降差。

    但是,如果ECU必須支持高于最低輸入電壓的電壓,則需要使用升壓穩(wěn)壓器。升壓穩(wěn)壓器可以在高電流電平上,有效保持來自低于3 V的輸入的12 V輸出電壓。但是,升壓穩(wěn)壓器還存在一個(gè)問題:從輸入到輸出的二極管路徑無法斷開,所以自然地電流在啟動(dòng)時(shí)或者短路時(shí)不受限。為了防止電流失控,專用的升壓穩(wěn)壓器(例如LTC3897控制器)集成浪涌抑制器前端來支持輸出斷開和限流,以及在使用背靠背N通道MOSFET時(shí)提供反向電壓保護(hù)。這個(gè)解決方案可以利用單個(gè)集成電路解決負(fù)載突降、發(fā)動(dòng)機(jī)啟動(dòng)和電池反接,但是可用電流受浪涌抑制器MOSFET的SOA限制。

    4開關(guān)降壓-升壓穩(wěn)壓器通過共用的電感來聯(lián)合同步降壓穩(wěn)壓器和同步升壓穩(wěn)壓器,以消除此限制。這種方法可以滿足負(fù)載突降和發(fā)動(dòng)機(jī)啟動(dòng)工況測(cè)試的要求,且電流電平或脈沖持續(xù)時(shí)間不會(huì)受到MOSFET SOA限制,同時(shí)還保有斷開輸出和限流的能力。

    降壓-升壓穩(wěn)壓器的開關(guān)操作由輸入和輸出電壓之間的關(guān)系決定。如果輸入遠(yuǎn)高于輸出,升壓頂部開關(guān)持續(xù)開啟,降壓功率級(jí)則降低輸入。同樣,如果輸入遠(yuǎn)低于輸出,降壓頂部開關(guān)持續(xù)開啟,升壓功率級(jí)則增高輸出。如果輸入和輸出大致相等(在10%至25%之間),那么降壓和升壓功率級(jí)會(huì)以交錯(cuò)方式同時(shí)開啟。如此,可以通過僅對(duì)高于、約等于或低于輸出的輸入電壓實(shí)施穩(wěn)壓所需的MOSFET限制開關(guān),分別最大化各個(gè)開關(guān)區(qū)域(降壓、降壓-升壓、升壓)的效率。

    ISO 16750-2解決方案匯總

    圖3匯總介紹了應(yīng)對(duì)負(fù)載突降、反向輸入電壓、疊加交變電壓和發(fā)動(dòng)機(jī)啟動(dòng)工況測(cè)試的各種解決方案,以及各種方案的優(yōu)缺點(diǎn)。可以得出幾個(gè)關(guān)鍵結(jié)論:

    ◇ 漏極面向輸入的串接N通道MOSFET極其有用,因?yàn)樗捎糜谙蘖骱蛿嚅_輸出,無論是它被用作開關(guān)(例如,在降壓功率級(jí)中)或線性控制器件(例如,在浪涌抑制器中)。

    ◇ 涉及反向輸入保護(hù)和疊加交變電壓時(shí),使用N通道MOSFET作為整流組件(面向輸入的源極)可以大幅降低功率損失和壓降(與使用肖特基二極管相比)。

    ◇ 相比線性穩(wěn)壓器,使用開關(guān)模式電源更合適,因?yàn)樗梢韵β势骷腟OA導(dǎo)致的可靠性問題和輸出電流限制。它可以無限調(diào)節(jié)輸入電壓極限值,而線性穩(wěn)壓器和無源解決方案本身存在時(shí)間限制,這種限制會(huì)令設(shè)計(jì)更加復(fù)雜。

    ◇ 升壓穩(wěn)壓器可能需要使用,也可能不需要使用,具體由啟動(dòng)工況的分類和ECU(必須提供的最高電壓是多少)的詳情決定。

    如果需要升壓穩(wěn)壓,那么4開關(guān)降壓-升壓穩(wěn)壓器會(huì)將上述需要的特質(zhì)融合到單個(gè)器件中。它可以在高電流電平下,有效調(diào)節(jié)嚴(yán)重欠壓和過壓瞬變,以延長(zhǎng)持續(xù)時(shí)間。從應(yīng)用的角度來看,這使其成為最可靠和簡(jiǎn)單的方法,但其設(shè)計(jì)復(fù)雜性也會(huì)增加。然而,典型的4開關(guān)降壓-升壓穩(wěn)壓器存在一些缺點(diǎn)。其一,不能自然提供反向電池保護(hù),必須使用額外電路來解決這個(gè)問題。

    4開關(guān)降壓-升壓穩(wěn)壓器存在的主要問題在于:它的很大部分運(yùn)行壽命都消耗在效率更低、噪聲更高的降壓-升壓開關(guān)區(qū)域。當(dāng)輸入電壓非常接近輸出電壓(VIN~ VOUT)時(shí),所有4個(gè)N通道MOSFET都會(huì)主動(dòng)開啟,以保持穩(wěn)壓。隨著開關(guān)損耗增大,以及使用最大的柵極驅(qū)動(dòng)電流,效率降低。當(dāng)降壓和升壓功率級(jí)熱回路都啟用,穩(wěn)壓器輸入和輸出電流出現(xiàn)斷續(xù),這個(gè)區(qū)域內(nèi)的輻射和導(dǎo)電EMI性能會(huì)受到影響。

    4開關(guān)降壓-升壓穩(wěn)壓器可以調(diào)節(jié)偶然出現(xiàn)的大幅度欠壓和瞬態(tài)過壓,但需要使用高靜態(tài)電流、降低效率,并且在更常見、常規(guī)的轉(zhuǎn)換區(qū)域產(chǎn)生更高噪聲。

    圖7.LT8210對(duì)電池反接的響應(yīng)。

    帶通工作模式提供高效率和EMI性能降壓-升壓區(qū)域

    LT8210是4開關(guān)降壓-升壓DC/DC控制器,可以按照慣例使用固定輸出電壓運(yùn)行,且支持新Pass-Thru™工作模式(圖4),可以通過可配置的輸入電壓窗口消除開關(guān)損失和EMI。該控制器在2.8 V至100 V范圍內(nèi)運(yùn)行,可以調(diào)節(jié)發(fā)動(dòng)機(jī)啟動(dòng)期間最嚴(yán)重的電池壓降,也可以調(diào)節(jié)未受抑制的負(fù)載突降的峰值幅度。它本身提供–40 V反向電池保護(hù),通過增加單個(gè)N通道MOSFET實(shí)現(xiàn)(圖5中的DG)。

    在帶通模式下,當(dāng)輸入電壓在窗口之外時(shí),輸出電壓被調(diào)節(jié)至電壓窗口的邊緣。窗口頂部和底部通過FB2和FB1電阻分壓器配置。當(dāng)輸入電壓在此窗口之內(nèi)時(shí),頂部開關(guān)(A和D)持續(xù)開啟,直接將輸入電壓傳輸至輸出。在不開關(guān)狀態(tài)下,LT8210的總靜態(tài)電流降低至數(shù)十微安。不開關(guān)意味著沒有EMI和開關(guān)損失,所以效率高達(dá)99.9%以上。

    對(duì)于兩方面都想實(shí)現(xiàn)最佳效果的人來說,可以使用LT8210,它可以通過切換MODE1和MODE2引腳,在不同的工作模式之間切換。換句話說,LT8210在某些情況下可以作為具有固定輸出電壓(CCM、DCM,或Burst Mode™)的傳統(tǒng)的降壓-升壓穩(wěn)壓器運(yùn)行,然后,在應(yīng)用條件變化時(shí),轉(zhuǎn)而采用帶通模式。對(duì)于常開系統(tǒng)和啟停應(yīng)用而言,這個(gè)特性非常有用。

    圖8.對(duì)發(fā)動(dòng)機(jī)冷啟動(dòng)的帶通響應(yīng)。

    帶通性能

    圖5所示的帶通解決方案將窗口中8 V和17 V的輸入傳輸至輸出。當(dāng)輸入電壓高于帶通窗口時(shí),LT8210將該電壓降低至經(jīng)過調(diào)節(jié)的17 V輸出。如果輸入降低至低于8 V,LT8210將輸出電壓升高至8 V。如果電流超過電感限流或設(shè)置的平均限流(通過IMON引腳),作為保護(hù)特性在帶通窗口中觸發(fā)開關(guān)操作以控制電流,。

    圖6、圖7和圖8分別顯示LT8210電路對(duì)負(fù)載突降、反向電壓和啟動(dòng)工況測(cè)試做出的反應(yīng)。圖9和圖10顯示在帶通窗口下,實(shí)現(xiàn)的效率改善和可以實(shí)現(xiàn)的低電流操作(低電流時(shí)的效率令人驚訝)。圖11顯示帶通模式和CCM操作之間的動(dòng)態(tài)轉(zhuǎn)換。關(guān)于此電路的LTspice模擬,以及最嚴(yán)格的ISO 16750-2測(cè)試脈沖的加速版本。

    圖9.CCM和帶通操作的效率。

    圖10.在帶通模式(VIN = 12 V)下,無負(fù)載輸入電流。

    結(jié)論

    為汽車電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)電源時(shí),LT8210 4開關(guān)降壓-升壓DC/DC控制器通過其2.8 V至100 V輸入工作范圍、內(nèi)置的反向電池保護(hù)和其新帶通工作模式,提供出色的解決方案。帶通模式可以改善降壓-升壓操作,實(shí)現(xiàn)零開關(guān)噪聲、零開關(guān)損失,以及超低的靜態(tài)電流,同時(shí)將輸出調(diào)節(jié)至用戶配置的窗口水平,而不是固定電壓。輸出電壓的最小和最大值與例如負(fù)載突降和冷啟動(dòng)期間的大幅度瞬變相綁定,沒有MOSFET SOA或者由線性狀況導(dǎo)致的電流或時(shí)間限制。

    新型LT8210控制方案支持在不同的開關(guān)區(qū)域(升壓、降壓-升壓、降壓和不開關(guān))之間實(shí)現(xiàn)干凈快速的瞬變,因此能夠調(diào)節(jié)輸入中的大信號(hào)和高頻率交流電壓。LT8210可以在帶通操作模式和傳統(tǒng)的固定輸出電壓、降壓-升壓操作模式(CCM、DCM或Burst模式)之間切換并保持運(yùn)行,固定輸出可以設(shè)置為帶通窗口中的任何電壓(例如,在8 V至16 V窗口中,VOUT=12 V)。這種靈活性使得用戶能夠在帶通和常規(guī)的降壓-升壓操作之間切換,利用帶通模式的低噪聲、低IQ和高效率操作,在CCM、DCM或Burst模式下實(shí)現(xiàn)更精確的穩(wěn)壓和更出色的瞬態(tài)響應(yīng)。

    David Megaw

    圖11.帶通和CCM操作之間的動(dòng)態(tài)轉(zhuǎn)換。

    參考文獻(xiàn)

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    4 Dan Eddleman。“LTspice:ISO 7367-2和ISO 16750-2瞬變模型。”ADI公司,2019年。

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    ISO 16750-2:2012。國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)化組織,2012年11月。


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