131 1300 0010
其他
當前位置: 首頁>> 元件技術>>其他>>
  • 導航欄目
  • 二極管
  • 整流橋
  • MOS管
  • 其他
  • Msp430單片機內部Flash存儲器的特點及功能解析
    Msp430單片機內部Flash存儲器的特點及功能解析
  • Msp430單片機內部Flash存儲器的特點及功能解析
  •   發(fā)布日期: 2019-06-04  瀏覽次數: 1,214

    Msp430Flash型單片機內部Flash存儲器介紹

    MSP430的Flash存儲器是可位、字節(jié)、字尋址和編程的存儲器。該模塊由一個集成控制器來控制編程和擦除的操作??刂破靼ㄈ齻€寄存器,一個時序發(fā)生器及一個提供編程、擦除電壓的電壓發(fā)生器。

     

    Msp430的Flash存儲器的特點有:

    Msp430單片機內部Flash存儲器的特點及功能解析

    1)產生內部編程電壓

    2)可位、字節(jié)、字編程,可以單個操作,也可以連續(xù)多個操作

    3)超低功耗操作

    4)支持段擦除和多段模塊擦除

    2 Flash存儲器的分割

    Msp430 Flash存儲器分成多個段??蓪ζ溥M行單個字節(jié)、字的寫入,也可以進行連續(xù)多個字、字節(jié)的寫入操作,但是最小的擦除單位是段。

    Flash存儲器被分割成兩部分:主存儲器和信息存儲器,兩者在操作上沒有什么區(qū)別。兩部分的區(qū)別在于段的大小和物理地址的不同。

    以Msp430F149為例,信息存儲器有兩個128字節(jié)的段,即segmentA和segmentB,主存儲器有多個512字節(jié)的段。Msp430F149內部Flash的地址為0x1000H~0xFFFFH,計60K。信息段SegA的起始地址為0x1080H,信息段SegB的起始地址為0x1000H。

    3 Flash存儲器的操作

    在默認狀態(tài)下,處于讀操作模式。在讀操作模式中,Flash存儲器不能被擦除和寫入,時序發(fā)生器和電壓發(fā)生被關閉,存儲器操作指向ROM區(qū)。

    Msp430 Flash存儲器在系統(tǒng)編程ISP(in-system programmable)不需要額外的外部電壓。CPU能夠對Flash直接編程。Flash存儲器的寫入/擦除通過BLKWRT、WRT、MERAS、ERASE等位確定。

    3.1擦除

    Flash存儲器各位的缺省值為1,每一位都可以單獨編程為0,但只有擦除操作才能將其恢復為1。擦除操作的最小單位是段。通過erase和meras位設置可選擇3種擦除模式。

    MERAS

    ERASE

    擦除模式

    0

    1

    段擦除

    1

    0

    多段擦除(所有主存儲器的段)

    1

    1

    整體擦除(LOCKA=0時,擦除所有主存儲器和信息存儲器的段;主存儲器的段只有當LOCKA=0時可以擦除)

    擦除操作開始于對擦除的地址范圍內的任意位置執(zhí)行一次空寫入??諏懭氲哪康氖菃訒r序發(fā)生器和擦除操作。在空寫入操作之后,BUSY位自動置位,并保持到擦除周期結束。BUSY、MERAS、ERASE在擦除周期結束后自動復位。

    3.2寫入

    寫入模式由WRT和BLKWRT位進行設置。

    BLKWRT(塊寫入模式選擇)

    WRT(寫模式選擇位)

    寫入模式

    0

    1

    單字節(jié)、單字寫入

    1

    1

    塊寫入

    所有的寫入模式使用一系列特有的寫入命令,采用塊寫入的速度大約是單個寫入的2倍,因為電壓發(fā)生器在塊寫入完成器件均能保持。對于這兩種寫入模式,任何能修改目的操作數的指令均能用于修改地址。一個Flash字不能再擦除器件進行兩次以上的寫入。

    當啟動寫入操作時,BUSY置位,寫入結束時復位。

    4操作編程

    4.1 Flash擦除

    對Flash要寫入數據,必須先擦除相應的段,且對Flash存儲器的擦除必須是整段進行的,可以一段一段擦,也可以多段一起擦除。擦除操作的順序如下:

    1)選擇適當的時鐘源和分頻因子;

    2)清除LOCK位

    3)判斷BUSY位,只有當BUSY=0時才可以執(zhí)行下一步

    4)使能段操作,設置ERASE、MERAS位等(如果是擦除一段,則ERASE=1,如果擦除多段,則MERAS=1,如果擦除整個Flash,則ERASE=1,MERAS=1)

    5)對擦除的地址范圍內的任意位置作一次空寫入,以啟動擦除操作

    6)在擦除周期內,時鐘源始終有效,不修改分頻因子

    7)操作完成后,置位LOCK

    根據上述操作順序,編寫程序代碼如下:

    void FlashErase(unsigned int adr)

    {

    uchar *p0;

    FCTL2 = FWKEY + FSSEL_1 + FN3 + FN4;//選擇時鐘源,分頻

    FCTL3 = FWKEY;//清除LOCK

    while(FCTL3 & BUSY);//如果出于忙,則等待

    FCTL1 = FWKEY + ERASE;//使能段操作

    p0 = (unsigned char *)adr;//數值強制轉換成指針

    *p0 = 0;//向段內任意地址寫0,即空寫入,啟動擦除操作

    FCTL1 = FWKEY;

    FCTL3 = FWKEY + LOCK;

    while(FCTL3 & BUSY);

    }

    4.2寫入

    對Flash的寫入數據可以是單字、單字節(jié),也可以是連續(xù)多個字或字節(jié)(即塊操作)。編程寫入操作的順序如下:

    1)選擇適當的時鐘源和分頻因子;

    2)清除LOCK位

    3)判斷BUSY位,只有當BUSY=0時才可以執(zhí)行下一步操作

    4)使能寫入功能,設置WRT、BLKWRT(如果寫入單字或單字節(jié)則WRT=1,如果是塊寫入,或者是多字、多字節(jié)連續(xù)寫入則WRT=1,BLKWRT=1);

    5)判斷BUSY位,只有當BUSY=0時才可以執(zhí)行下一步操作

    6)寫入數據

    7)判忙,完了之后清除WRT,置位LOCK

    根據上述操作順序,編寫程序代碼如下:

    //write single byte

    //Adr為要編程的地址,沒有奇偶地址要求、DataB為要編程的字節(jié)數據

    void FlashWB(unsigned char Adr,unsigned char DataB)

    {

    FCTL2 = FWKEY + FSSEL_1 + FN3 + FN4;//MCLK16*FN4 + 8*FN3

    FCTL3 = FWKEY;

    FCTL1 = FWKEY + WRT;

    while(FCTL3 & BUSY);

    *((unsigned int *)Adr)=DataB;//數值強制轉換成指針,指向地址數據Adr所表示的內存單元

    //將數據字DataW賦值給內存單元

    FCTL1 = FWKEY;

    FCTL3 = FWKEY + LOCK;

    while(FCTL3 & BUSY);

    }

    //write single word

    //Adr為要編程的地址,應該是偶地址、DataW為要編程的字數據

    void FlashWW(unsigned int Adr,unsigned int DataW)

    {

    FCTL2 = FWKEY + FSSEL_1 + FN3 + FN4;//MCLK16*FN4 + 8*FN3

    FCTL3 = FWKEY;

    FCTL1 = FWKEY + WRT;

    while(FCTL3 & BUSY);

    *((unsigned int *)Adr)=DataW;//數值強制轉換成指針,指向地址數據Adr所表示的內存單元

    //將數據字DataW賦值給內存單元

    FCTL1 = FWKEY;

    FCTL3 = FWKEY + LOCK;

    while(FCTL3 & BUSY);

    }

    /*************************************************

    //向FLASH信息區(qū)寫入指定數量的字節(jié)數據

    //unsigned char *pc_byte信息區(qū)數據指針

    //unsigned char *Datain :讀出數據存放數據數組,8位長

    //unsigned char count :讀操的數量,范圍0-127

    **************************************************/

    void FlashWrite(uchar *pc_byte,uchar *Datain,uint count)

    {

    FCTL2 = FWKEY + FSSEL_1 + FN3 + FN4;//MCLK16*FN4 + 8*FN3

    FCTL3 = FWKEY;

    FCTL1 = FWKEY + WRT;

    while(FCTL3 & BUSY);//如果處于忙狀態(tài),則等待

    while(count--)

    {

    while(FCTL3 & BUSY);

    *pc_byte++ = *Datain++;

    }

    FCTL1 = FWKEY;

    FCTL3 = FWKEY + LOCK;

    while(FCTL3 & BUSY);

    }

    注意:在對字寫入和字節(jié)寫入的時候,用于指向信息區(qū)數據指針類型的區(qū)別,字寫入時候為*((unsigned int *)Adr),字節(jié)寫入時候為*((unsigned char *)Adr)。

    4.3讀取

    根據查看的書籍資料和網絡資料得出,內部Flash的讀取操作沒有順序的要求,一般Flash默認的操作方式即為讀模式。讀取Flash的程序代碼如下:

    /*************************************************

    //向FLASH信息區(qū)讀出指定數量的字節(jié)數據

    //unsigned char *pc_byte信息區(qū)數據指針

    //unsigned char *Dataout :讀出數據存放數據數組,8位長

    //unsigned char count :讀操的數量,范圍0-127

    **************************************************/

    void FlashRead(uchar *pc_byte,uchar *Dataout,uint count)

    {

    while(count--)

    {

    *Dataout = *pc_byte;

    Dataout++;

    pc_byte++;

    }

    }

    在網上查找資料的時候,好像看到過有位網友的博客說,內部Flash的地址是自動加1的,按照他的理解,函數中pc_byte++語句就沒有用處了,可是事實不然,我在調試過程中,發(fā)現并不能自動加1,pc_byte++語句還是有必要的。調用上述函數,可以通過這樣的方式FlashRead((uchar *)0x1000,a,4);即從0x1080地址處開始,連續(xù)讀取4個字節(jié)的數據,送給數組a。

    5小結

    對Msp430片內Flash的操作是通過對3個控制字中的相應位來完成的,只有控制位的正確組合,才能實現相應的功能。

    同時在編程中注意靈活使用數組和指針,以及指向數組的指針等,可以達到靈活編程的目的,不過本文中給出的幾個程序段,基本上能夠實現對Msp430 Flash的擦除、寫入等操作。


  • ·上一篇:
    ·下一篇:
  • 其他關聯資訊
    深圳市日月辰科技有限公司
    地址:深圳市寶安區(qū)松崗鎮(zhèn)潭頭第二工業(yè)城A區(qū)27棟3樓
    電話:0755-2955 6626
    傳真:0755-2978 1585
    手機:131 1300 0010
    郵箱:hu@szryc.com

    深圳市日月辰科技有限公司 版權所有:Copyright?2010-2023 www.kqne.cn 電話:13113000010 粵ICP備2021111333號