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  • 多路模擬開關(guān)的選擇注意事項(xiàng)
    多路模擬開關(guān)的選擇注意事項(xiàng)
  • 多路模擬開關(guān)的選擇注意事項(xiàng)
  •   發(fā)布日期: 2019-06-04  瀏覽次數(shù): 1,038

    多路模擬開關(guān)的選擇注意事項(xiàng):

    1.性能指標(biāo) 模擬開關(guān)由于采用的是集成MOS管作為開關(guān)的器件實(shí)現(xiàn)開關(guān)功能;由于MOS管自身物理特性,在使用的時(shí)候需要注意一下幾個(gè)性能指標(biāo):

    2.開關(guān)速度: 模擬開關(guān)的開關(guān)速度一般能達(dá)到兆Hz的速度,可以快速實(shí)現(xiàn)鏈路切換。

     

    3.開關(guān)耐壓: 模擬開由于其應(yīng)用的信號(hào)鏈路為*板低壓工作環(huán)境,關(guān)耐壓值一般在15v以內(nèi);常見的有3.3v、5v、12v、15、等最大耐壓值;選擇時(shí)必須注意信號(hào)鏈路的最大電壓與器件最大耐壓值。

    4.開關(guān)最大電流: 模擬開關(guān)的導(dǎo)通能夠承受的最大電流值,現(xiàn)在常見的模擬開關(guān)的開關(guān)最大電流一般在幾百毫安以內(nèi);安培級(jí)別的模擬開關(guān)很少。

    5.導(dǎo)通電阻: 常見的模擬開關(guān)的導(dǎo)通阻抗一般從幾個(gè)歐姆到100歐姆之間;在模擬信號(hào)和弱信號(hào)設(shè)計(jì)的時(shí)候使用模擬開關(guān)必須注意這個(gè)參數(shù)。

    6.關(guān)斷阻抗: 關(guān)斷阻抗代表著開關(guān)的關(guān)斷能力,關(guān)斷好壞,一般產(chǎn)品的關(guān)斷阻抗足以達(dá)到抑制相鄰兩個(gè)信號(hào)鏈路相互干擾的能力。

    集成多路模擬開關(guān)(以下簡稱多路開關(guān))是自動(dòng)數(shù)據(jù)采集、程控增益放大等重要技術(shù)領(lǐng)域的常用器件,其實(shí)際使用性能的優(yōu)劣對(duì)系統(tǒng)的嚴(yán)謹(jǐn)和可靠性重要影響。 關(guān)于多路開關(guān)的應(yīng)用技術(shù),些文獻(xiàn)上介紹有兩點(diǎn)不足:一是對(duì)器件自身介紹較多,而對(duì)器件與相關(guān)電路的合理搭配與協(xié)調(diào)介紹較少;二是原則性的東西介紹較多,而操作性的東西介紹較少。研究表明:只有正確選擇多路開關(guān)的種類,注意多路開關(guān)與相關(guān)電路的合理搭配與協(xié)調(diào),保證各電路單元有合適的工作狀態(tài),才能充分發(fā)揮多路開關(guān)的性能,甚至彌補(bǔ)某性能指標(biāo)的欠缺,收到預(yù)期的效果。本文從應(yīng)用的角度出發(fā),研究多路開關(guān)的應(yīng)用技巧。目前市場上的多路開關(guān)以 CMOS 電路為主,故以下的討論除特別說明外,均針對(duì)這類產(chǎn)品。

    集成多路模擬開關(guān)的應(yīng)用技巧

    1 “先斷后通”與“先通后斷”的選擇

    目前市場上的多路開關(guān)的通斷切換方式大多為“先斷后通”(Break-Before-Make)。

    在自動(dòng)數(shù)據(jù)采集中,應(yīng)選用“先斷后通”的多路開關(guān)。否則,就會(huì)發(fā)生兩個(gè)通道短接的現(xiàn)象,嚴(yán)重時(shí)會(huì)損壞信號(hào)源或多路開關(guān)自身。然而,在程控增益 放大器 中,若用多路開關(guān)來改變集成運(yùn)算放大器的反饋電阻,以改變放大器的增益,就不宜選用“先斷后通”的多路開關(guān)。否則,放大器就會(huì)出現(xiàn)開環(huán)狀態(tài)。放大器的開環(huán)增益極高,易破壞電路的正常工作,甚至損壞元器件,一般應(yīng)予避免。

    2 選擇合適的傳輸信號(hào)輸入方式

    傳輸信號(hào)一般有單端輸入和差動(dòng)輸入兩種方式,分別適用于不同的場合。

    單端輸入方式如圖1所示,即把所有信號(hào)源一端接同一信號(hào)地,信號(hào)地與ADC等的模擬地相接,各信號(hào)源的另一端分別接多路開關(guān)。圖中Vs為傳輸信號(hào),Vc為系統(tǒng)中的共模干擾信號(hào)。

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    圖1(a)接法的優(yōu)點(diǎn)是無需減少一半通道數(shù),也可保證系統(tǒng)的共模抑制能力;缺點(diǎn)是僅適用于所有傳輸信號(hào)均參考一個(gè)公共電位,且各信號(hào)源均置于同樣的噪聲環(huán)境下,否則會(huì)引入附加的差模干擾。

    圖1(b)接法適用于所有傳輸信號(hào)相對(duì)于系統(tǒng)模擬公共地的測(cè)量,且信號(hào)電平明顯大于系統(tǒng)中的共模干擾。其優(yōu)點(diǎn)是可得到最多的通道數(shù),缺點(diǎn)是系統(tǒng)基本失去了共模抑制能力。

    差動(dòng)輸入方式如圖2所示,即把所有信號(hào)源的兩端分別接至多路開關(guān)的輸入端。其優(yōu)點(diǎn)是抗共模干擾的能力強(qiáng),缺點(diǎn)是實(shí)際通道數(shù)只有單端輸入方式的一半。當(dāng)傳輸信號(hào)的信噪比較低時(shí),必須使用差動(dòng)輸入方式。

    多路模擬開關(guān)的選擇注意事項(xiàng)

    3 減小導(dǎo)通電阻的影響

    多路開關(guān)的導(dǎo)通電阻RON(一般為數(shù)10Ω至1kΩ左右)比機(jī)械開關(guān)的接觸電阻(一般為mΩ量級(jí))大得多,對(duì)自動(dòng)數(shù)據(jù)采集的信號(hào)傳輸精度或程控制增益放大的增益影響較明顯,而且RON通道隨電源電壓高低、傳輸信號(hào)的幅度等的變化而變化,因而其影響難以進(jìn)行后期修正。實(shí)踐中一般是設(shè)法減小RON來降低其影響。

    以CD4051為例,測(cè)試發(fā)現(xiàn)[1]:CD4051的RON隨電源電壓和輸入模擬電壓的變化而變化。當(dāng)VDD=5V、VEE=0V時(shí),RON=280Ω,且隨V1的變化突變;當(dāng)VDD》10V、VEE=0V時(shí),RON=100Ω,且隨V1的變化緩變??梢姡m當(dāng)提高CD4051的VDD有利于減小RON的影響。必須注意:提高VDD的同時(shí),應(yīng)相應(yīng)提高選通控制端A、B、C的輸入邏輯電平。例如:取VDD=12V(VEE=0V),可采用電源電壓上拉箝位的方法,上拉電阻的阻值取1.5kΩ以上,使選通控制端信號(hào)的有效高電平不低于6V。這樣,既保證CD4051理想導(dǎo)通(RON小,又實(shí)現(xiàn)了CMOS電平與TTL電平的轉(zhuǎn)換(μP一般為TTL電平)。

    可見,根據(jù)具體情況,適當(dāng)提高多路開關(guān)的電源電壓,是降低其RON影響的一種有效措施。此外,適當(dāng)提高電源電壓,還可以同時(shí)減小導(dǎo)通電阻路差ΔRON和加快開關(guān)速度。

    4 消除抖動(dòng)引起的誤差

    和機(jī)械開關(guān)類似,多路開關(guān)在通道切換時(shí)也存在抖動(dòng)過程,會(huì)出現(xiàn)瞬變現(xiàn)象。若此時(shí)采集多路開關(guān)的輸出信號(hào),就可能引入很大的誤差。例如[2]:某計(jì)算機(jī)自動(dòng)數(shù)據(jù)采集與處理系統(tǒng)采集三個(gè)模擬量:水泵轉(zhuǎn)速、流量、壓力。三個(gè)模擬量對(duì)應(yīng)的TTL電平分別為:1.5454V,1.5698V、2.9394V。采集系統(tǒng)從通道1、2、3分別對(duì)這三個(gè)模擬量連續(xù)采集10次,采集結(jié)果位于1.8554~1.8603、1.5625~1.5673、1.62207~1.62695之間,其中1、3、通道的誤差很大。研究發(fā)現(xiàn),這種誤差是由于系統(tǒng)在多路開關(guān)通斷切換未穩(wěn)定下來就采集數(shù)據(jù)造成的。

    消除抖動(dòng)的常用方法有兩種:一是用硬件電路來實(shí)現(xiàn)(硬件方法),即用RC濾波器除抖動(dòng);另一種是用軟件延時(shí)的方法來解決(軟件方法)。在有μP的系統(tǒng)中,軟件方法較硬件方法更顯優(yōu)勢(shì)。如上例中,只要在原QuICkB ASIC 數(shù)據(jù)采集程序加入一循環(huán)語句來適當(dāng)延時(shí),則采集結(jié)果位于1.5454~1.5478、1.5698~1.5722、2.9394~2.9418之間,采集精度明顯提高,采集結(jié)果正常。

    5 提高切換速度

    多路開關(guān)的切換速度與其自身的結(jié)構(gòu)、工作條件以及外電路的情況都有關(guān)系。在實(shí)踐中應(yīng)注意以下幾點(diǎn):

    所有的多路開關(guān)的平均傳輸延遲時(shí)間tpd均隨VDD的升高而減小。以CD4051為例[3],當(dāng)VDD=5V時(shí),tpd=720ns;當(dāng)VDD=10V時(shí),tpd=320ns;當(dāng)VDD=15V時(shí),tpd=240ns。可見,適當(dāng)提高多路開關(guān)的電源電壓,可加快其開關(guān)速度。

    傳輸信號(hào)的信號(hào)源內(nèi)阻Rs對(duì)多路開關(guān)的切換時(shí)間有重要影響。分析表明:在其它條件不變的情況下,切換時(shí)間近似與Rs成正比,即Rs越小,開關(guān)的動(dòng)作就越快。所以,對(duì)高內(nèi)阻的信號(hào)源(一些傳感器就是如此),宜用阻抗變換器(如電阻跟隨器),將阻抗變低后再接入多路開關(guān)。此外,減小Rs還可同時(shí)減小多路開關(guān)的關(guān)斷漏電流造成的誤差。

    當(dāng)系統(tǒng)需要的信號(hào)通道數(shù)較多時(shí),宜采用圖3所示的兩級(jí)聯(lián)接方式。在圖3 中,假設(shè)系統(tǒng)共需要32個(gè)信號(hào)通道,將這32個(gè)通道分成4組,各組分別接至4個(gè)二級(jí)開關(guān),信號(hào)由二級(jí)

    開關(guān)輸出。設(shè)每個(gè)開關(guān)的輸出電容為C0,則輸出總電容由32Co至大約12Co,電路的時(shí)間常數(shù)減小,開關(guān)速度提高。此外,這種聯(lián)接方式還可以使多路開關(guān)的總關(guān)斷漏電流由31Iz降至大約10Iz(設(shè)每個(gè)開關(guān)的關(guān)斷漏電流為Iz),從而減小關(guān)斷漏電流造成的誤差。對(duì)上述兩種作用,通道數(shù)越多效果越顯著。當(dāng)然,這種聯(lián)接方式需要的開關(guān)數(shù)相對(duì)多些,選通控制也相對(duì)復(fù)雜些,因而主要用于信號(hào)通道數(shù)較多的場合。

    多路模擬開關(guān)的選擇注意事項(xiàng)

    目前市場上的多路開關(guān)以RCA、AD、SILICONIX、MOTOROLA、MAXIN等公司的產(chǎn)品多見,種類繁多,性能、價(jià)格差異較大(詳見有關(guān)公司的相關(guān)產(chǎn)品數(shù)據(jù)手冊(cè))。選擇和使用多路開關(guān)時(shí),考慮的重點(diǎn)是滿足系統(tǒng)對(duì)信號(hào)傳輸精度和傳輸速度的要求,同時(shí)還必須注意以下兩點(diǎn):第一,全面了解多路開關(guān)的特性,否則可能出現(xiàn)難以預(yù)料的問題。例如: CMOS 多路開關(guān)在電源切斷時(shí)是斷開的,而結(jié)型FET多路開關(guān)在電源切斷時(shí)是接通的。若未注意到這一點(diǎn),就可能因電源的通斷而損壞有關(guān)芯片。

    第二,多路開關(guān)只有與相關(guān)電路合理搭配,協(xié)調(diào)工作,才能充分發(fā)揮其性能,甚至彌補(bǔ)某些性能的欠缺。否則,片面追求多路開關(guān)的高性能,忽略與相關(guān)電路的搭配與協(xié)調(diào),不但會(huì)造成成本與性能指標(biāo)的浪費(fèi),而且往往收不到預(yù)期的效果。

    此外,受芯片種類或應(yīng)用場合的限制,在實(shí)踐中往往有多余的通道。由于多路開關(guān)的內(nèi)部電路相互聯(lián)系,所以多余的通道可能產(chǎn)生干擾信號(hào),必要時(shí)應(yīng)作適當(dāng)處理。例如[4]:測(cè)試多路開關(guān)CC4097和CC4067時(shí)發(fā)現(xiàn),所有多余通道的輸入端都必須接地,否則將產(chǎn)生干擾信號(hào)。


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