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    可控硅調(diào)速器電路圖
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  •   發(fā)布日期: 2018-11-22  瀏覽次數(shù): 1,478

    可控硅電機(jī)調(diào)速電路

    該電路如圖所示。前級(jí)控制電路的電源供給電壓從穩(wěn)壓管DZ兩端取得,R12為啟動(dòng)電阻。VT必須選擇BVceo大于400V的中功率管。穩(wěn)壓管DZ的額定電流必須大于電風(fēng)扇堵轉(zhuǎn)時(shí)的電流(一般電風(fēng)扇的堵轉(zhuǎn)電流約300mA),其穩(wěn)定電壓為5V。

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    流過三極管的基極電流為Ib,集電極電流為IC,則:

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    設(shè)可控硅VS的觸發(fā)電流為Igt當(dāng)Ic=Igt的時(shí)刻,可控硅導(dǎo)通。由(1)式指出。如果βIb大于或者等于可控硅VS的觸發(fā)電流Igt,則在正弦電壓的約0V處,可控硅即被觸發(fā),控制角為O,電風(fēng)扇總是全速運(yùn)轉(zhuǎn),不能調(diào)速(見下圖)。因此。R7~R10阻值選擇顯得非常重要。

    3.jpg

     

    此RB為CC4518輸出端只有一個(gè)高電平時(shí)的取值。因?yàn)镃C4518屬于BCD同步加計(jì)數(shù)器,其輸出端Q3、Q2、Q1、Q0有時(shí)會(huì)同時(shí)出現(xiàn)多個(gè)為高電平的狀態(tài),使R7~R10多個(gè)并聯(lián)后再加到VT的基極,這也必須引起我們的注意。

    由于可控硅的觸發(fā)電流Igt以及三極管VT的β、rce的離散性很大,使Rb的取值十分困難,必須測(cè)量出上述參數(shù)的實(shí)際值,再計(jì)算出Rb,然后在試驗(yàn)中微調(diào)。

    遺憾的是該電路的控制角調(diào)節(jié)范圍小于90°,速度調(diào)節(jié)范圍小。

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    電機(jī)調(diào)速電路

    下面介紹一種簡(jiǎn)易電機(jī)調(diào)速電路,不用機(jī)械齒輪轉(zhuǎn)化來(lái)變速,改善了機(jī)械設(shè)備使用的效率。

    此簡(jiǎn)易電子調(diào)速電路適用于220V市電的單相電動(dòng)機(jī),電機(jī)額定電流在6.5A以內(nèi),功率在1kW左右,適用于家庭電風(fēng)扇、吊扇電機(jī)及其它單相電機(jī),若電路加以修改,則可作調(diào)光、電磁振動(dòng)調(diào)壓、電風(fēng)扇溫度自動(dòng)變速器等用途。其電路如圖1所示。

    硅二極管VD1~VD4構(gòu)成一個(gè)橋式全波整流電路,電橋與電機(jī)串聯(lián)在電路中,電橋?qū)煽毓鑆S提供全波整流電壓。當(dāng)VS接通時(shí),電橋呈現(xiàn)本電機(jī)串聯(lián)的低阻電路。當(dāng)圖1中A點(diǎn)為負(fù)半周時(shí),電流經(jīng)電機(jī)、VD1、VS、R1、VD3構(gòu)成回路,當(dāng)B 點(diǎn)為正半周時(shí)電流經(jīng)VD2、VS、R1、VD4、電機(jī)M構(gòu)成回路,電機(jī)端得到的是交變電流。電機(jī)兩端的電壓大小主要決定于可控硅VS的導(dǎo)通程度,只要改變可控硅的導(dǎo)通角,就可以改變VS的壓降,電機(jī)兩端的電壓也變化,達(dá)到調(diào)壓調(diào)速的目的,電機(jī)端電壓Um=U1-UVD1-Uvs-UR1-UVD3,上式中,UVD1、UVD3的壓降均很小,而反饋UR1也不大,故電機(jī)端電壓就簡(jiǎn)化為Um=U1-Uvs。

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    可控硅VS的觸發(fā)脈沖靠一只簡(jiǎn)單的單結(jié)晶體管VS電路產(chǎn)生,電容器C2通過電阻R4、R5充電到穩(wěn)壓管DW的穩(wěn)定電壓UZ,當(dāng)C2充電到單結(jié)晶體管的峰點(diǎn)電壓時(shí),單結(jié)晶體管就觸發(fā),輸出脈沖而使可控硅導(dǎo)通。在單結(jié)晶體管發(fā)射極電壓充分衰減后,單結(jié)晶體管就斷開,VS一經(jīng)接通,那么a、b兩點(diǎn)之間的電壓就下降到穩(wěn)壓管DW的穩(wěn)定電壓UZ以下,電容器C2再充電就依賴于點(diǎn)a到b點(diǎn)間的電壓,因穩(wěn)壓管的電壓已經(jīng)降低到它的導(dǎo)通區(qū)域以外,點(diǎn)a到b點(diǎn)的電壓取決于電動(dòng)機(jī)的電流、R1和VS導(dǎo)通時(shí)的電壓降。這樣,當(dāng)VS 導(dǎo)通時(shí),電容器C2的充電電流取決于電動(dòng)機(jī)的電流,在這種情況下便得到了反饋,這就使得電動(dòng)機(jī)在低速時(shí)轉(zhuǎn)矩所受損失的問題得到補(bǔ)救。

    反饋電阻R1的數(shù)值經(jīng)過實(shí)驗(yàn)得出,因此,VS在導(dǎo)通周期的時(shí)間內(nèi),電容C2便不能充電到足以再對(duì)單結(jié)晶體管觸發(fā)的高壓,然而,電容C2會(huì)充電到電動(dòng)機(jī)電流所決定的某一數(shù)值。如果在某一導(dǎo)通周期電動(dòng)機(jī)的電流增加,則C2上的電壓也增加,故在下一周期開始時(shí),C2就不需那么長(zhǎng)的時(shí)間才能充電到單晶體的峰點(diǎn)電壓。這種情況下,觸發(fā)角就被減少了(導(dǎo)通角更大),加到電機(jī)上的方根電壓就成比例增加,致使有效轉(zhuǎn)矩增加。二極管VD5和電容器C1防止在導(dǎo)通期中由于觸發(fā)單結(jié)晶體所造成的反饋,反饋電阻R1的取值具體如附表所示。

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    R2為限流電阻,它應(yīng)保證穩(wěn)定DW1 在穩(wěn)壓范圍,穩(wěn)定電流在10~20mA 左右,它并保證了脈沖移相角,當(dāng)R2增大,移相角減小,電機(jī)兩端的電壓調(diào)節(jié)范圍減少。

    R4應(yīng)保證電機(jī)兩端電壓的上限值,當(dāng)R4增大時(shí),輸出到電機(jī)的電壓上限下降。

    R3是作單結(jié)晶體管溫度補(bǔ)償之用,當(dāng)R3增大時(shí),溫度特性就要好一些,本電路也適用于可逆電機(jī)調(diào)速之用,負(fù)載端電壓調(diào)節(jié)范圍從35~215V連續(xù)可調(diào)。若負(fù)載為電機(jī)或電磁振動(dòng)線圈,它不要求對(duì)轉(zhuǎn)矩進(jìn)行補(bǔ)償,則電路可以進(jìn)一步簡(jiǎn)化,電路如圖2所示,其工作原理同圖1,輸出電壓主調(diào)節(jié)范圍是35~215V,R1的作用是保證VS輸出脈沖的幅度,R1增大,則輸出脈沖也增加,若作調(diào)光,則可將負(fù)載改作燈泡即可。

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    若負(fù)載電壓最大值不需要很高,則可將橋式整流電路改為半波整流,其輸出至負(fù)載的電壓調(diào)節(jié)范圍為30~100V,其工作原理同前。電原理圖如圖3所示。風(fēng)扇調(diào)速電路如圖4所示,電路采用了熱敏電阻,當(dāng)環(huán)境溫度上升或下降時(shí),其電阻值發(fā)生變化,導(dǎo)致VT2的不斷變化,使可控硅導(dǎo)通角前后移動(dòng),改變電扇兩端的電壓,風(fēng)扇電機(jī)的轉(zhuǎn)速即隨之變化。當(dāng)環(huán)境溫度上升時(shí),電風(fēng)扇轉(zhuǎn)速高,反之則低。

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    選用元件時(shí),二極管VD1~VD4耐壓要高于400V,額定電流大于0.4A;可控硅VS耐壓大于500V,額定電流為1A;單結(jié)晶體管BT35分壓比η大于0.5;三極管3CG14的β大于80。

    電路裝好后,把風(fēng)扇接在電路中,調(diào)整RP使風(fēng)扇正好停轉(zhuǎn),然后用一把電烙鐵靠近熱敏電阻,熱敏電阻變高時(shí),風(fēng)扇轉(zhuǎn)速變快。電烙鐵離開熱敏電阻,溫度降低,轉(zhuǎn)速應(yīng)變慢,工作時(shí)RP應(yīng)調(diào)到適當(dāng)位置。


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