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  • 德州儀器新型即用型 600V 氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體
    德州儀器新型即用型 600V 氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體
  • 德州儀器新型即用型 600V 氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體
  •   發(fā)布日期: 2018-11-03  瀏覽次數(shù): 948

    2018年10月29日,北京訊 - 德州儀器(TI)近日宣布推出支持高達 10kW 應(yīng)用的新型即用型 600 V 氮化鎵(GaN),50mΩ 和70mΩ 功率級產(chǎn)品組合。與 AC/DC 電源、機器人、可再生能源、電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施、電信和個人電子應(yīng)用中的硅場效應(yīng)晶體管(FET)相比,LMG341x 系列使設(shè)計人員能夠創(chuàng)建更小、更高效和更高性能的設(shè)計。有關(guān)詳細(xì)信息,請訪問 http://www.ti.com.cn/product/LMG3410R050-prhttp://www.ti.com.cn/product/LMG3410R070-pr ?HQS=app-hvp-gan-ganfamily-pr-sa-20181030-cn ,,, 和 http://www.ti.com.cn/product/LMG3411R070-pr。 

     

    德州儀器的 GaN FET 器件系列產(chǎn)品通過集成獨特的功能和保護特性,來實現(xiàn)簡化設(shè)計,達到更高的系統(tǒng)可靠性和優(yōu)化高壓電源的性能,為傳統(tǒng)級聯(lián)和獨立的 GaN FET 提供了智能替代解決方案。通過集成的<100ns 電流限制和過溫檢測,器件可防止意外的直通事件并防止熱失控,同時系統(tǒng)接口信號可實現(xiàn)自我監(jiān)控功能。

     

     

     

    LMG3410R050、LMG3410R070 和 LMG3411R070 的主要特性和優(yōu)勢 

     更小、更有效的解決方案:與硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)相比,德州儀器的集成 GaN 功率級可將功率密度提高一倍,并將損耗降低80%。每個器件都具有快速的 1MHz 開關(guān)頻率和高達100V/ns 的壓擺率。



     系統(tǒng)可靠性:本產(chǎn)品組合接受了2000萬小時的設(shè)備可靠性測試,包括加速和應(yīng)用內(nèi)硬開關(guān)測試。此外,每個器件均提供集成的散熱和高速、100ns 過流保護,以防止直通和短路情況。



     每個功率級的設(shè)備:50mΩ 或 70mΩ 條件下,本產(chǎn)品組合中的每個器件均提供一個 GaN FET、驅(qū)動器并提供保護功能,可為低于 100W 至 10kW 的應(yīng)用提供單芯片解決方案。

     

    在德國慕尼黑電子展 electronica 訪問德州儀器

    德州儀器(TI)將在德國慕尼黑電子展(2018年11月13日至16日)的 C4展廳-131展位展示一個10kW的云網(wǎng)格鏈接演示。由德州儀器和西門子聯(lián)合開發(fā)的有源演示采用德州儀器的 LMG3410R050 600V GaN FET,具有集成驅(qū)動器和保護功能,與傳統(tǒng)的硅設(shè)計相比,幫助工程師實現(xiàn)99%的效率,功率元件尺寸可減少30%。

     

    封裝和供貨

    這些器件均采用 8mm×8mm 分割墊、方形扁平無引腳(QFN)封裝,現(xiàn)可從 TI 商店處購買。LMG3410R050LMG3410R070 和 LMG3411R070 的訂購單位為1000件。



    了解有關(guān) TI LMG3410R050、LMG3410R070 和 LMG3411R070 產(chǎn)品的更多信息

     閱讀博文,“空間減半,功率加倍:氮化鎵如何徹底改變機器人,可再生能源,電信等技術(shù)”,并可在 E2EChina 探索更多的GaN帖子

     使用 LMG3410EVM-018、LMG3410-HB-EVM 和 LMG3411EVM-029評估模塊快速開始設(shè)計。

     下載這些應(yīng)用注釋: 

    o “高密度電源設(shè)計中的過流保護

    o “設(shè)計 GaN 功率級的熱考慮因素

     查看德州儀器完整的 GaN 產(chǎn)品組合解決方。


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